<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

結(jié)合超寬帶測距和雷達功能以實現(xiàn)高級IoT應用 11.14珠海｜與泰克共探半導體產(chǎn)業(yè)鏈來這里瞧瞧NXP技術培訓視頻吧>> 來學習NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> mosfet-90n10

mosfet-90n10 文章進入mosfet-90n10技術社區(qū)

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET 芯片組

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機、混合動力和電動車中的DC-DC 應用。　　
關鍵字： IR MOSFET

IR推出新系列車用MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。　　
關鍵字： IR MOSFET

中國未來幾年IGBT市場火爆

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。　　
關鍵字： IGBT MOSFET

IR推出新系列車用MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用。　　
關鍵字： IR MOSFET

Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級) 版本

　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級) 版本，該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動器，在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動器設計用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率，從而使其能夠驅(qū)動高功率N 溝道MOSFET 或多個并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動電壓從5V 至8V 是可調(diào)的，從而允許設計師選擇標準門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
關鍵字： Linear MOSFET 柵極驅(qū)動器

Microchip擴展MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品

　　Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴展了其MOSFET驅(qū)動器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動器。經(jīng)擴展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實現(xiàn)關斷功能以節(jié)省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
關鍵字： Microchip MOSFET

Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝

　　為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。　　Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
關鍵字： Fairchild MOSFET Dual Cool

Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。　　40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
關鍵字： Vishay MOSFET

saber下MOSFET驅(qū)動仿真實例

saber下MOSFET驅(qū)動仿真實例,設計中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
關鍵字：實例仿真驅(qū)動 MOSFET saber

Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導通電阻記錄

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
關鍵字： MOSFET 最低導通電阻

設計高效高可靠LED燈具的五個忠告

　　進入2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為LED燈具的大規(guī)模普及揭開了序幕，另外，隨著歐盟各國、日本、加拿大等國家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會進一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因為一個巨大的市場就要開啟，而這次唱主角的是中國廠商。不過，應當看到，LED燈具要普及，不但需要大幅度降低成本，更需要解決能效和可靠性的難題，如何解決這些難題，Power Integrations市場營銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
關鍵字： PI MOSFET LED

利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術降低傳導和開關損耗

本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應用中的優(yōu)勢。
關鍵字：傳導開關損耗降低技術屏蔽功率 MOSFET 利用

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計算

0 引言眾所周知，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。近年來，內(nèi)核CPU所需的電源電流每兩年就翻一番，即便攜式內(nèi)核CPU電源電流需求會高達40A之大，而電壓在0.9V和1.75
關鍵字：功耗計算 MOSFET 變換便攜式 DC/DC 電流

功率MOSFET雪崩擊穿問題分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復雜。寄生器件在
關鍵字：問題分析擊穿雪崩 MOSFET 功率

Vishay推出第三代TrenchFET?功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。　　
關鍵字： Vishay MOSFET SiA923EDJ

共1257條 63/84 |‹ « 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 » ›|

mosfet-90n10介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-90n10!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet-90n10的理解，并與今后在此搜索mosfet-90n10的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

mosfet-90n10電路

12W場效應管音頻放大器電路圖
基于FET的100W音頻放大器電路圖
圖騰柱無橋PFC電路的工作原理及仿真分析
一文詳解同步與非同步Buck電源

mosfet-90n10相關帖子

從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS
MOSFET耗盡型和增強型兩種類型原理介紹
MOSFET廠商匯總
深入理解MOSFET規(guī)格書datasheet
WAYON維安工程師筆記MOSFET驅(qū)動振蕩那些事
MOSFET應用解析：柵極驅(qū)動振蕩，如何解決？
開關電源中MOSFET失效案例分析
[模擬電子技術]―MOSFET總結(jié)（1）

mosfet-90n10資料下載

WAYON維安工程師筆記 MOSFET 驅(qū)動振蕩那些事
MOSFET 應用解析：柵極驅(qū)動振蕩，如何解決？
MOSFET管芯溫度估算
Toshiba東芝N溝道MOSFET SSM6N44FE產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
什么是MOSFET？MOSFET的應用電路
【IRLH5030TRPBF-VB】N溝道DFN8(5X6)封裝MOS管Datasheet
【STP14NF10FP-VB】N溝道TO220F封裝MOS管Datasheet
【IRF7907TRPBF-VB】2個N溝道SOP8封裝MOS管Datasheet

mosfet-90n10專欄文章

熱門主題

MOSFET-90N10 樹莓派 linux

關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();