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          IR 拓展堅(jiān)固可靠、系統(tǒng)可擴(kuò)展的車(chē)用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布拓展了車(chē)用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻,適用于重負(fù)載應(yīng)用,包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動(dòng)力汽車(chē)的電池開(kāi)關(guān)、微型混合動(dòng)力汽車(chē)的集成起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)等。   與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝器件相比,IR 的車(chē)用 DirectFET®2 器件可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)級(jí)尺寸和更低的成本,以及超高的性
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  

          滿(mǎn)足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

          • 當(dāng)維持相同的結(jié)點(diǎn)溫度時(shí),可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外,散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時(shí),還可以額外提供不超過(guò)額定電流50%的更高電流,并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對(duì)其他器件的影響,也提高了系統(tǒng)的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  MOSFET  封裝  新型  供電  需求  滿(mǎn)足  

          Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導(dǎo)通電阻

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.38Ω的超低最大導(dǎo)通電阻,柵極電荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。   SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET   

          一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡(jiǎn)單評(píng)估方法

          • 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后,MOSFET快速的發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  雙峰效  方法    

          Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET 輕松應(yīng)對(duì)IP電話(huà)通信設(shè)備的嚴(yán)峻考驗(yàn)

          •   Diodes 公司推出專(zhuān)為IP電話(huà)(VoIP)通信開(kāi)發(fā)的新型60V N溝道器件,擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專(zhuān)為處理產(chǎn)生正極線(xiàn)和負(fù)極線(xiàn)換行線(xiàn)路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流,以及抵擋電源開(kāi)關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設(shè)計(jì)。該器件能夠滿(mǎn)足基于變壓器的用戶(hù)線(xiàn)路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對(duì)基本切換功能的嚴(yán)格要求。   Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇,包括:SOT223封裝的DMN606
          • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  

          硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用

          •  功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比,這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅(jiān)固,并且具有更高的電流增益。因此開(kāi)關(guān)型電源轉(zhuǎn)換技術(shù)得以真正商用化。早期臺(tái)式電腦的AC/DC開(kāi)關(guān)電
          • 關(guān)鍵字: 領(lǐng)域  應(yīng)用  轉(zhuǎn)換  電源  MOSFET  功率  

          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

          •   前言   Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET,是作為微小模擬信號(hào)用而開(kāi)發(fā)出的SSD,以高功能型的HF型為首,正逐步擴(kuò)展系列,如通用型的GU型、高頻型的RF型。   上次介紹了PhotoMOS的概要,此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨(dú)特的光電元件的特點(diǎn)、構(gòu)造、布線(xiàn)等。   FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路   圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
          • 關(guān)鍵字: Panansonic  PhotoMOS  MOSFET  

          瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

          •   高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩電子)已于近日宣布開(kāi)始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件,主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。   本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲(chǔ)器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如,可作為降壓電路,用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V,以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  MOSFET  

          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

          •   b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā)   隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解,人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿(mǎn)足大眾進(jìn)一步的需求,本公司開(kāi)發(fā)出了“可通過(guò)機(jī)械實(shí)現(xiàn)、并擁有所有觸點(diǎn)構(gòu)成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。   為實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),我們?cè)诠β蔒OSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
          • 關(guān)鍵字: Panasonic  MOSFET  PhotoMOS  

          IR 推出為 D 類(lèi)應(yīng)用優(yōu)化的汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET

          •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,適合D 類(lèi)音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。   新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 適用于汽車(chē) D 類(lèi)音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營(yíng),并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化,來(lái)改善總諧波失真
          • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  

          基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

          • 采用功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器和光纖收發(fā)器件,研究了激光觸發(fā)開(kāi)關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生、驅(qū)動(dòng)、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果,并對(duì)其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  激光器  觸發(fā)系統(tǒng)    

          Diodes 推出小型SOT963封裝器件

          •   Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件,性能可媲美甚至超過(guò)采用更大封裝的器件。   Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2,比SOT723封裝少30%,比SOT563封裝少60%,適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度,讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿(mǎn)足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。   現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線(xiàn)包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號(hào)雙MOS
          • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  BJT  TVS  

          MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

          • 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型:



            Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
            Cgd:是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊,第二是
            耗盡區(qū)電容
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  功耗計(jì)算    

          電源設(shè)計(jì)小貼士17:緩沖反向轉(zhuǎn)換器

          • 之前,我們介紹了如何對(duì)正向轉(zhuǎn)換器輸出整流器開(kāi)啟期間兩端的電壓進(jìn)行緩沖?,F(xiàn)在,我們來(lái)研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于
          • 關(guān)鍵字: 轉(zhuǎn)換器  緩沖  設(shè)計(jì)  MOSFET  TI  德州儀器  

          Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

          •   前言:   Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進(jìn)行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間,在全世界的銷(xiāo)量達(dá)到八億個(gè),堪稱(chēng)是一款銷(xiāo)售成績(jī)驕人的商品。“PhotoMOS”滿(mǎn)足了小型·輕量·薄形化的需求,作為適應(yīng)電子化的輸出光電耦合器,增加了①高靈敏性、高速響應(yīng);②從傳感器輸入信號(hào)水平到高頻的控制;③從聲音信號(hào)到高頻用途的對(duì)應(yīng);④高可靠性和長(zhǎng)使用壽命;⑤可進(jìn)行表面安裝的SMD型;⑥多功能
          • 關(guān)鍵字: 松下電工  MOSFET  PhotoMOS  光電耦合器  
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