mosfet-driver 文章 進入mosfet-driver技術(shù)社區(qū)
碳化硅邁入新時代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導(dǎo)體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術(shù)也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、服務(wù)器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導(dǎo)體行業(yè)如何克服技術(shù)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅(qū)動設(shè)計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動器為每相集成了低邊檢流放大器，構(gòu)成完備的電機驅(qū)動方案；與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設(shè)計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
- 關(guān)鍵字： MOSFET
電動汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革
- 近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC（車載充電機）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產(chǎn)品群進行提案。羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司 技術(shù)中心 副總經(jīng)理 周勁1? ?Si
- 關(guān)鍵字： MOSFET 202108
功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動電壓降低、其進入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線性區(qū) 欠壓保護 202103 MOSFET
簡易直流電子負載的設(shè)計與實現(xiàn)*
- 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)負載測試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負載測試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問題，設(shè)計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發(fā)生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應(yīng)管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào)，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應(yīng)的設(shè)定值
- 關(guān)鍵字： STC12C5A60S2單片機 恒流恒壓 IRF3205 負載調(diào)整率 202105 MOSFET
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET
- 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本?；A(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設(shè)備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
瑞能半導(dǎo)體舉行CEO媒體溝通會
- 近日，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導(dǎo)體全球市場總監(jiān)Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導(dǎo)體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內(nèi)保持的相當規(guī)模的成長，并取得的驕人成績；結(jié)合瑞能半導(dǎo)體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產(chǎn)品，明確了在碳化硅器件行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位；在分享后續(xù)發(fā)展策略的同時，強調(diào)了瑞能半導(dǎo)體未來
- 關(guān)鍵字： MOSFET
基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無限
- 相比于數(shù)字半導(dǎo)體，我國在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產(chǎn)品設(shè)計的問題，還涉及到材料等多個技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域，市場潛力大，也是基本半導(dǎo)體要重點發(fā)力的市場。站在劉誠的角
- 關(guān)鍵字： 基本半導(dǎo)體 MOSFET 中國芯
特定工作條件下的開關(guān)電源模塊失效分析
- 針對在某特定工作條件下發(fā)生的短路失效問題，進行了開關(guān)電源模塊及其外圍電路的工作原理分析，通過建立故障確定了失效原因，運用原理分析與仿真分析的方法找到了開關(guān)電源模塊的損傷原因與機理，并給出了對應(yīng)的改進措施。
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源模塊 電源振蕩 失效分析 MOSFET 202105
Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本
- 如今為商用車輛推進系統(tǒng)提供動力的節(jié)能充電系統(tǒng)，以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產(chǎn)品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設(shè)計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓撲結(jié)構(gòu)。此外，電力電
- 關(guān)鍵字： MOSFET MCU IGBT
原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續(xù)漲價
- 相比去年，已有多款MOSFET產(chǎn)品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內(nèi)得不到解決，有業(yè)內(nèi)人士認為下半年該產(chǎn)品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續(xù)大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區(qū)新冠肺炎疫情延燒，導(dǎo)致產(chǎn)能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等IDM大廠又再度將產(chǎn)品的價格上調(diào)了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內(nèi)訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調(diào)MOSFET價格。相比去年，
- 關(guān)鍵字： MOSFET
使用IC采樣保持放大器
- 采樣保持(S/H)功能是數(shù)據(jù)采集和模數(shù)轉(zhuǎn)換過程的基礎(chǔ)。S/H放大器電路有兩種不同的基本工作狀態(tài)。在第一種狀態(tài)下，對輸入信號采樣，同時傳送到輸出端（采樣）。在第二種狀態(tài)下，保持最后一個采樣值（保持），直到再次對輸入采樣。在大多數(shù)應(yīng)用中，S/H用作數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中模數(shù)轉(zhuǎn)換器的“前端”。這樣使用時，S/H主要用于在執(zhí)行模數(shù)轉(zhuǎn)換所需的時間段內(nèi)，讓模擬輸入電壓電平保持恒定不變。具體來說，S/H是數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必須具備的系統(tǒng)功能模塊，所用的模數(shù)轉(zhuǎn)換器在進行轉(zhuǎn)換期間，必須提供恒定且準確的模擬輸入。逐次逼近類型模數(shù)轉(zhuǎn)換器就是
- 關(guān)鍵字： MOSFET
大聯(lián)大品佳集團推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案
- 大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解決方案。圖示1-大聯(lián)大品佳推出基于NXP產(chǎn)品的5G open frame解決方案的展示板圖當前，系統(tǒng)對于電源設(shè)計要求正在變得愈發(fā)苛刻。隨著能源法規(guī)不斷完善，針對效率的要求不斷提高，在電源已做到極致的情況下，單純地使用原始架構(gòu)已不能滿足需求，因此必須有新一代的架構(gòu)設(shè)計來滿足現(xiàn)行的需求。大聯(lián)大品佳針對高效率的5G電源應(yīng)用，基于NXP技術(shù)推出了open frame解決方案，該方案搭載輸入端同步整流技術(shù)IC
- 關(guān)鍵字： MOSFET
硅晶體管創(chuàng)新還有可能嗎？ 意法半導(dǎo)體超結(jié)MDmesh案例研究
- 前言自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來，半導(dǎo)體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術(shù)進步，在封城隔離期間我們就無不可能遠程辦公，與外界保持聯(lián)系?？傊?，沒有半導(dǎo)體的技術(shù)進步，人類就無法享受科技奇跡。舉個例子，處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導(dǎo)體微處理器迭代50多年。現(xiàn)在，我們即將到達原子學(xué)和物理學(xué)的理論極限，需要新的技術(shù)，例如，分層垂直堆疊技術(shù)。同時，我們
- 關(guān)鍵字： MOSFET
mosfet-driver介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet-driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet-driver的理解，并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet-driver的理解，并與今后在此搜索mosfet-driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
mosfet-driver電路
mosfet-driver相關(guān)帖子
mosfet-driver資料下載
mosfet-driver專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473