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          ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

          • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關(guān)損耗可降低約35%,非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外,羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  

          中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導體發(fā)展

          • 最近,由深圳市科學技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導,青銅劍科技、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦,深圳基本半導體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進行深入探討與交流,加速第三代半導體材料國產(chǎn)化替代進程,助力國產(chǎn)半導體開辟一片新天地。深圳市科學技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  二極管  MOSFET  

          Diodes公司推出微型車用 MOSFET,可提供更高的功率密度

          • Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET,采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域,可在直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  汽車  

          針對高耐用性和可靠性電源需求,意法半導體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器

          • 中國,2019年7月29日——意法半導體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器,集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設計簡單的優(yōu)點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件,即可實現(xiàn)類似的電壓處理能力,可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護功能,MOSFET包含一個用于過溫保護的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓撲,包括原邊或副
          • 關(guān)鍵字: 電源  意法半導體  擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器  

          SiC將達23億美元規(guī)模,技術(shù)精進是主攻方向

          • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導體上顯出優(yōu)勢。在應用中,在光伏和服務器市場最大,正處于發(fā)展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過,制約SiC發(fā)展的,最主要的是價格,主要原因有兩個,一個是襯底,一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應地下降,ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面,眾廠商競爭
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  

          華為強力掃貨 手機、服務器用MOSFET急單聲聲催

          • 中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒,華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應鏈緊急備貨,熟悉功率元件業(yè)者透露,除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應鏈以及臺系邏輯IC供應體系外,瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎(chǔ)元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
          • 關(guān)鍵字: 華為  MOSFET  中美貿(mào)易戰(zhàn)  

          現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

          •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德國 慕尼黑)  摘要:通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能?! £P(guān)鍵詞:IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動器;耐受性;隔離? ? &nb
          • 關(guān)鍵字: 201905  IGBT  MOSFET   柵極驅(qū)動器  耐受性  隔離  

          工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動設計細節(jié)

          • 一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS的G、S兩級之間,有結(jié)電容存在。這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單......
          • 關(guān)鍵字: MOS  MOSFET  

          SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型, 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

          •   全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型,該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2),而且產(chǎn)品陣容豐富,擁有13個機型。  ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領(lǐng)域,ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴大的車載市場,ROHM也及時確立車載品質(zhì),并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  MOSFET  

          安森美半導體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET,補足成長的生態(tài)系統(tǒng),并為迅速增長的應用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢

          •   2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源?! ∵@標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統(tǒng),包括SiC二極管和SiC驅(qū)動器等互補器件,以及
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  

          600V 超級結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調(diào)節(jié)能

          •   全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復時間(trr※1))的同時,提高設計靈活度,非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機驅(qū)動以及EV充電樁。近日,該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?! 〈舜伍_發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術(shù),實現(xiàn)了極快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比,輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外,通過提高導通MOSFET所需要的電壓水
          • 關(guān)鍵字: ROHM  MOSFET   

          Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度

          •   Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應用特定標準產(chǎn)品全球制造商與供貨商,產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管,采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm),可為需要高達 100V 與 3A 的應用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小,可在閘極驅(qū)動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負載開關(guān)電路,提供更高的功率密度設計?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET   

          Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019

          •   2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim,California)舉行的2019年國際應用電力電子展會(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設在411展臺,將展示適用于廣泛應用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術(shù)。  在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          滿足新能源汽車應用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

          •   世紀金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應用,形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系,正在大力進行垂直整合,全面推進從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?! ≈饕獞谩 高效服務器電源 w新能源汽車 w充電樁充電模組  w光伏逆變器 w工業(yè)電機 w智能電網(wǎng) w航空航天  SiC MOSFET系列  產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V,額定電流30-92A,可滿足多
          • 關(guān)鍵字: 新能源汽車  MOSFET  

          碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

          • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  
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