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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹立全新性能基準
- 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應(yīng)用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉(zhuǎn)換器（硬開關(guān)和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： MOSFET QRR QG
應(yīng)用筆記140 第2/3部分 - 開關(guān)模式電源基礎(chǔ)知識
- 為何使用開關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關(guān)模式而非線性模式下運行。這意味著，當(dāng)晶體管導(dǎo)通并傳導(dǎo)電流時，電源路徑上的壓降最小。當(dāng)晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導(dǎo)體晶體管就像一個理想的開關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設(shè)計人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應(yīng)用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關(guān)模式同步降壓電源通?？蓪崿F(xiàn)90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時，經(jīng)過改進的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
- 關(guān)鍵字： MOSFET FOM
健康催生可穿戴多功能需求
- 可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設(shè)備已成為過去5年來消費電子領(lǐng)域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009
ROHM為新基建帶來的功率器件和電源產(chǎn)品
- 1 無線基站羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點是導(dǎo)通
- 關(guān)鍵字： 耐高壓 MOSFET DC/DC 202009
有助于減輕激光光源電路的設(shè)計負擔(dān)并提高測距精度
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過提高VCSEL的輸出功率，進一步提高了空間識別和測距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來驅(qū)動光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅(qū)動時間和輸出功率，這就對實現(xiàn)高精度感應(yīng)所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
- 關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV
內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片
- 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關(guān)電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現(xiàn)低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補償功能和內(nèi)置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產(chǎn)品應(yīng)用可廣泛應(yīng)用于AC
- 關(guān)鍵字： MOSFET PSR IC RFM
減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET
- 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS
模塊化參考設(shè)計幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設(shè)計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應(yīng)用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU
低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43
- 關(guān)鍵字： MOSFET
東芝與MikroElektronika展開合作，為電機驅(qū)動IC開發(fā)評估板
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅(qū)動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設(shè)計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅(qū)動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅(qū)動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應(yīng)用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機，東芝提供豐富的電機驅(qū)動
- 關(guān)鍵字： NVM IC MOSFET
英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑
- 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預(yù)計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個經(jīng)過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
- 關(guān)鍵字： MOSFET IC NASA IR
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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