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          Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器,可最大程度提高效率及安全性

          •   深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓,來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源。  SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
          • 關鍵字: Power Integrations  SiC-MOSFET  

          貿(mào)澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

          •   專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設計,可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務器電源以及太陽能 微型逆變器等設備的功率密度?! ≠Q(mào)澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效,從而增加功率密度。該系列
          • 關鍵字: 貿(mào)澤  STMicroelectronics  MOSFET  

          Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器,提高逆變器級工作效率

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A,擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝,低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA,可用于提高逆變器級工作效率?! ∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術,含有集成電路與軌到軌輸出級光學耦合的AIGaAs LED,為門控設備提供所需驅(qū)動電壓。VOD3120電壓和電流使
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

          Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應用提供高效解決方案,同時,柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業(yè)內(nèi)最低水平,該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應用中的關鍵指標 (FOM)?! ishay
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

          穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

          •   Filippo, Scrimizzi, 意法半導體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com  Giuseppe, Longo, 意法半導體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com  Giusy, Gambino, 意法半導體s, 意大利, giusy.gambino@st.com  摘要  意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

          Vishay業(yè)界領先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

          •   2019年1月11日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上,展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設在東5號館E47-40,以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品,包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?! ishay亞
          • 關鍵字: Vishay  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

          意法半導體高效超結(jié)MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓撲

          •   意法半導體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管,該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設計。  針對軟開關技術優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效,最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關頻率,這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?! 〈送?,意法半導體最先進的M6超結(jié)技術將RDS(ON)電阻降至0.036?,有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)
          • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

          高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

          •   隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加,車內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此,新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準,該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質(zhì),開關電源充斥著 EMI,并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今,低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起,成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求,同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
          • 關鍵字: MOSFET,LT8650S   

          Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

          •   深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大,適合設計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應用,適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?! ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率,使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
          • 關鍵字: Power Integrations  MOSFET  

          Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

          •   深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大,適合設計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應用,適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?! ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率,使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
          • 關鍵字: Power Integrations  MOSFET  

          Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

          •   Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充,也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本?! √蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000  碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
          • 關鍵字: Littelfuse  MOSFET  

          宜特FSM化學鍍服務本月上線,無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

          •   隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求,為填補供應鏈中此一環(huán)節(jié)的不足,在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」,其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝,在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進行量產(chǎn),在線生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%。  同時為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝,在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上,除了提供濺射沉積(Sputteri
          • 關鍵字: 宜特  MOSFET  

          MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究

          • 1 引言
            MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性,可自動調(diào)節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因,并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題,關于此問題,
          • 關鍵字: MOSFET  并聯(lián)  電流  分配  

          應用角:汽車 - 電動汽車電池斷開系統(tǒng)

          •   在電動和混合動力汽車中,需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接,而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體,包圍觸點以消除空氣。通常,在高壓電池系統(tǒng)中,需要三個接觸器:一個用于兩個主要電池導體,另一個更小的版本用于預充電功能。傳統(tǒng)的電池斷開電路圖如圖1所示?! ‰妱悠囍圃焐涕L期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案,以解決電池斷開問題。功率半導
          • 關鍵字: MOSFET,混合動力  

          開關電源設計:何時使用BJT而非MOSFET?

          • MOSFET已經(jīng)是是開關電源領域的絕對主力器件。但在一些實例中,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
          • 關鍵字: 開關電源  BJT  MOSFET  
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