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          高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
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          • 關(guān)鍵字：
                        高效能  Power  MOSFET                          
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          MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動工具、電...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護(hù)  MOSFET                          
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          理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  開關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)                          
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          羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
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          • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  MOSFET  DC/DC                          
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          恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
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          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  MOSFET                          
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          IR推出車用功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
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          • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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          能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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          • 關(guān)鍵字：
                        情況  解析  方案  相關(guān)  MOSFET  電阻  下降  功率  能使導(dǎo)                          
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          開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析
          
                                                            
            
                    	
          • 開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
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          • 關(guān)鍵字：
                        介紹  分析  電路  驅(qū)動  MOSFET  開關(guān)電源                          
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          MOSFET雙芯片功率封裝簡化電源設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        電源  設(shè)計(jì)  簡化  封裝  芯片  功率  MOSFET                          
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          中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 如今的汽車市場正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊，與此同時(shí)，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動著新一代汽車的發(fā)展，并...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        智能開關(guān)  MOSFET  DC-DC轉(zhuǎn)換器                          
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          恩智浦推出新型汽車級TrenchMOS器件
          
                                                            
            
                    	
          • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克：NXPI)日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證，成功通過了175?C高溫下超過1,600小時(shí)的延長壽命測試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求)，同時(shí)具有極低PPM 水平。
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          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  MOSFET                          
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          車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
          
                                                            
            
                    	
          • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  車用  如何提高  能量                            
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          典型功率MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
          
                                                            
            
                    	
          • 功率場效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動  保護(hù)電路                          
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          MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配
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          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計(jì)  應(yīng)用  電路  保護(hù)  驅(qū)動  MOSFET                          
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          精確測量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻
          
                                                            
            
                    	
          • 電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹(jǐn)慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙愃频姆椒▉頊y量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  精確測量  導(dǎo)通電阻                            
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          mosfet-driver介紹
          
      			
          
		      	
          
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          熱門主題
          
      			
          
      			
          
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