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高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧
- 隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅(qū)動器
- 為了減輕對環(huán)境的影響，最新的電子設(shè)備急需高效率化，并且對其中配備的電機(jī)、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢（軟件控制）。因此，電子設(shè)計(jì)工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外，關(guān)于功率器件的驅(qū)動知識也是必不可少。
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英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個(gè)器件型號，其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。
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英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片
- 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路總結(jié)
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時(shí)候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也...
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安森美半導(dǎo)體推出汽車級非同步升壓控制器
- 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出用于汽車系統(tǒng)自安嶄新的可調(diào)節(jié)輸出非同步升壓控制器。 NCV8871是一款輸入電壓范圍為3.2伏(V)至44 V的寬輸入電壓器件，能用于驅(qū)動外部N溝道MOSFET。此器件包含的內(nèi)部穩(wěn)壓器為門驅(qū)動器提供電荷，它在休眠模式下的靜態(tài)電流為3.0微安(µA)，使功耗降至最低。它還具有可同步開關(guān)頻率特性，提供兩種分別可設(shè)定為典型值170 kHz或是典型值1 MHz的版本
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