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瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品
- 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。 本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲(chǔ)器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 MOSFET
Soft-start enhances LED driver
- To emulate the natural soft start of an incandescent bulb, this circuit makes use of the thermal-foldback protection built into an LED-driver IC (MAX16832). It thereby avoids the annoying and almost i
- 關(guān)鍵字： driver LED enhances Soft-start
Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開發(fā) 隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機(jī)械實(shí)現(xiàn)、并擁有所有觸點(diǎn)構(gòu)成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們?cè)诠β蔒OSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
- 關(guān)鍵字： Panasonic MOSFET PhotoMOS
IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開關(guān)應(yīng)用。 新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
- 采用功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生、驅(qū)動(dòng)、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 激光器 觸發(fā)系統(tǒng)
Diodes 推出小型SOT963封裝器件
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。 Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號(hào)雙MOS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET BJT TVS
MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算
- 我們先來看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容 - 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 功耗計(jì)算
電源設(shè)計(jì)小貼士17：緩沖反向轉(zhuǎn)換器
- 之前，我們介紹了如何對(duì)正向轉(zhuǎn)換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進(jìn)行緩沖?，F(xiàn)在，我們來研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于
- 關(guān)鍵字： 轉(zhuǎn)換器 緩沖 設(shè)計(jì) MOSFET TI 德州儀器
Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要
- 前言: Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進(jìn)行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達(dá)到八億個(gè)，堪稱是一款銷售成績(jī)驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應(yīng)電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應(yīng);②從傳感器輸入信號(hào)水平到高頻的控制;③從聲音信號(hào)到高頻用途的對(duì)應(yīng);④高可靠性和長(zhǎng)使用壽命;⑤可進(jìn)行表面安裝的SMD型;⑥多功能
- 關(guān)鍵字： 松下電工 MOSFET PhotoMOS 光電耦合器
英飛凌推出30V車用 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
英飛凌推出一款30V功率MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大
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IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 今天宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻(RDS(on))應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。 新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達(dá) 2.6 mΩ 的導(dǎo)通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當(dāng)中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。 隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。 新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。 IR
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