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          Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器

          •   Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031,用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器,以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓??刂破鬟€包含一路低電流(5mA),“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器,當(dāng)筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設(shè)備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。   器件采用低邊MOSFET
          • 關(guān)鍵字: Maxim  MOSFET  控制器  

          飛兆半導(dǎo)體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET

          •   飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET,能夠滿足便攜設(shè)計的嚴(yán)苛要求,采用延長電池壽命的技術(shù),實現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝,相比傳統(tǒng)的MOSFET,它具有出色的熱阻,能提供超卓的功率耗散,并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采
          • 關(guān)鍵字: Fairchild  MOSFET  

          選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

          • 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。例如,為了滿足新規(guī)范,2.5W(5V,0.5A)外部電源的最低效率必須達到72.3%,新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW,這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源,很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品,同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例,隨著智能手機的功能越來越多,低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。

          • 關(guān)鍵字: MOSFET  節(jié)能    

          Diodes 推出全新OR'ing 控制器

          •   Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102,使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管,從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應(yīng)用中,實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。   Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示,傳統(tǒng)上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高,這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導(dǎo)通電阻較低的MOSFET替代二極管,功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
          • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  

          飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列,讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng),從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應(yīng)用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT,如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機控制。與市場上同類器件相比,它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA),容許設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: Fairchild  柵極驅(qū)動器  MOSFET  IGBT  

          電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國大有盼頭

          • 盡管一直高于全球的發(fā)展速度,中國電源管理半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷了多年的快速增長之后,正不斷放緩步伐,特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是,隨著國家政策刺激拉動整機設(shè)備制造保持增長,今后兩年中國的市場需求整體也將繼續(xù)較快增長,預(yù)計增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
          • 關(guān)鍵字: 電源管理  節(jié)能  IGBT  MOSFET  數(shù)字電源  穩(wěn)壓器  200903  

          高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測量

          • 許多電子設(shè)計應(yīng)用要求的激勵源幅度超出了當(dāng)前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力,包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用,如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs,氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器,以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法,然后討論了典型應(yīng)用,說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
          • 關(guān)鍵字: 泰克  MOSFET  IGBT  200903  

          選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性

          • 電動工具由于其設(shè)計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點,在各種場合得到了廣泛的應(yīng)用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn),具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能,如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  可靠性  電動工具  提高  MOSFET  選擇  

          STY112N65M5:ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

          •         產(chǎn)品特性: 耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω(漏極電流為93A) STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω(漏極電流為66A) 采用了改進Super Junction結(jié)構(gòu)         應(yīng)用范圍: 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器
          • 關(guān)鍵字: 意法  MOSFET  IGBT  

          意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: MDmeshV  MOSFET  RDS  

          關(guān)于DSP應(yīng)用電源系統(tǒng)的低功耗設(shè)計研究

          • 自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來,DSP技術(shù)得到了突飛猛進的發(fā)展。DSP電源設(shè)計是DSP應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計的一...
          • 關(guān)鍵字: DSP  CPU  電源芯片  MOSFET  

          安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過壓保護及外部附件過流保護器件

          • ??????? NCP370保護便攜設(shè)備免受浪涌損傷,并控制反向電流來保護便攜設(shè)備附件,不需使用外部元件。 ? ??????? 2009年2月3日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件,為手機、MP3/4、個人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提
          • 關(guān)鍵字: 安森美  OVP  OCP  MOSFET  

          業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

          •   Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET&reg; 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。   現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 m&#8486; ,而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 m&#8486; (在 10 V
          • 關(guān)鍵字: MOSFET   

          Diodes自保護式MOSFET節(jié)省85%的占板空間

          •   Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列,推出全球體積最小的完全自保護式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。   雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧,但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?,能夠使功耗保持在絕對極小值。     ZXMS
          • 關(guān)鍵字: Diodes  MOSFET  ZXMS6004FF  

          IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: InternationalRectifier  HEXFET  MOSFET  
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