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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

本文將對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹。
關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

碳化硅MOSFET晶體管的特征

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
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非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路（有時(shí)稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位，但在每個(gè)開關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對(duì)鉗位和功率開關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會(huì)對(duì)電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來的設(shè)計(jì)限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴(kuò)展新應(yīng)用領(lǐng)域，PI推出首款汽車級(jí)開關(guān)電源IC

　　2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會(huì)，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費(fèi)類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗(yàn)的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
關(guān)鍵字： PI MOSFET 電動(dòng)汽車 ACDC 開關(guān)電源

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機(jī)驅(qū)
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Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC

InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴(kuò)大，新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量，還可大幅提高電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用的效率
關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動(dòng)汽車牽引逆變器

用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，SiP）設(shè)計(jì)理念是實(shí)現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對(duì)電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓?fù)渲械陌霕騇OSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計(jì)、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對(duì)比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，為電源SiP的設(shè)計(jì)提供參考。
關(guān)鍵字：系統(tǒng)級(jí)封裝腔體 3D堆疊鍵合銅片夾扣 202112 MOSFET

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用

本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實(shí)現(xiàn)二級(jí)保護(hù)的方案；論述了其實(shí)現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點(diǎn)；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測(cè)量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測(cè)電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問題。
關(guān)鍵字：電池充放電管理雪崩短路漏電流 MOSFET 202112

大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

電池供電電機(jī)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項(xiàng)棘手且耗時(shí)的工作；現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時(shí)間。
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ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AC/DC轉(zhuǎn)換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標(biāo)準(zhǔn)“Energy Star*3”和安全標(biāo)準(zhǔn)“IEC 62368”等，需要從國(guó)際視角構(gòu)建電源系統(tǒng)。其
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ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航

一、復(fù)雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運(yùn)行，需要具備對(duì)抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對(duì)相對(duì)不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)的差異性，也可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實(shí)上，在一定時(shí)間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

如今，越來越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個(gè)主要因素（在一個(gè)簡(jiǎn)化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)阻抗，稱為rds(on)，另一個(gè)是并聯(lián)電容，稱為coss。這兩個(gè)晶體管參數(shù)限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術(shù)，設(shè)計(jì)者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對(duì)電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會(huì)增加，這會(huì)導(dǎo)
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意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動(dòng)電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用未來發(fā)展

※? ?意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用※? ?持續(xù)長(zhǎng)期投資 SiC市場(chǎng)，意法半導(dǎo)體迎接未來增長(zhǎng)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進(jìn)在電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場(chǎng)景應(yīng)用。作為 Si
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CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關(guān)系

高溫半導(dǎo)體和功率模塊方面的領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)CISSOID 公司，與技術(shù)領(lǐng)先的、為新能源汽車超快速和超高安全性實(shí)時(shí)控制提供現(xiàn)場(chǎng)可編程控制器單元（FPCU）半導(dǎo)體架構(gòu)的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC）智能功率模塊（IPM）平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺(tái)將加速用于電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)的緊湊型高效碳化硅逆變器的開發(fā)。該合作伙伴關(guān)系將提供一個(gè)碳化硅逆變器的模塊化平臺(tái)，從而提供高
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安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個(gè)產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對(duì)服務(wù)器和電信系統(tǒng)是
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]