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          多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)

          • 多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)可以根據(jù)測試需求,實現(xiàn)電流傳感器的比例誤差、上升時間、零點偏置、零點漂移、線性度等參數(shù)的自動測試。其中精密恒流源輸出可至200 A,準(zhǔn)確度優(yōu)于0.01%,多臺并聯(lián)可達(dá)到2 kA。覆蓋了大多數(shù)中低準(zhǔn)確度的測試需求,同時可配合準(zhǔn)確度高達(dá)10-6的標(biāo)準(zhǔn)電流傳感器解決更高準(zhǔn)確度的測試需求。
          • 關(guān)鍵字: 電流傳感器  自動測試  精密恒流源  比例誤差  202111  MOSFET  

          Diodes Incorporated 目標(biāo)電動汽車產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs

          • Diodes 公司為金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝,能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作,另外,80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇,像是能量熱回
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          意法半導(dǎo)體端口保護(hù)IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制

          • 意法半導(dǎo)體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護(hù) IC為雙角色輸電(DRP)應(yīng)用量身定制,針對能給相連設(shè)備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品,可以簡化其設(shè)計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片,TCPP03-M20讓設(shè)計者以經(jīng)濟劃算的方式進(jìn)行USB Type-C 接口硬件分區(qū),實現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案,從而節(jié)省
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  STM32  

          SRII重磅亮相CICD 2021,以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

          • 功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如,傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過,隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應(yīng)用的興起,擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角,獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。如今,在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下,老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導(dǎo)體,SiC和GaN功率器件開始投入批量應(yīng)用,并迎來了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          提高遲滯,實現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過壓閉鎖

          • 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平,且低壓電路不會出現(xiàn)過載或損壞。在功率路徑控制電路中,電阻分壓器有助于設(shè)置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作,避免導(dǎo)致系統(tǒng)故障。例如,當(dāng)電源電壓低于規(guī)格要求時,數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定,甚至死機。當(dāng)電源為可充電電池時,欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護(hù)系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板,讓設(shè)計師實現(xiàn)用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器

          • EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器,可提供2 kW的功率和實現(xiàn)96.5%的效率,是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9163,這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉(zhuǎn)換器演示板,可在非常小的占板面積上實現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設(shè)計具有可擴展性 - 并聯(lián)兩個轉(zhuǎn)換器可以實現(xiàn)4 kW的功率,或者并聯(lián)三個轉(zhuǎn)換器以實現(xiàn)6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET(EPC2218),并由模塊控制,該模塊采用Mic
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          添加靈活的限流功能

          • 問題:我可以根據(jù)負(fù)載輕松而精確地進(jìn)行限流嗎?答案:可以使用限流IC進(jìn)行限流。在一些電源管理應(yīng)用中,需要精確地限制電流。無論是要保護(hù)電源(例如,中間電路電壓需要過載保護(hù)以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能),還是在故障情況下保護(hù)可能由于過流而造成損壞的負(fù)載,都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負(fù)載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時,我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見??烧{(diào)限流功能在采用外部電源開關(guān)的控制器設(shè)計中更加常見,而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且,可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
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          使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應(yīng)用中的AC輸入開關(guān)效率和可靠性

          • 在越來越多的應(yīng)用中,對導(dǎo)通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進(jìn)行優(yōu)化是一個重要考慮因素,這些應(yīng)用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開關(guān)和插頭、調(diào)光器和人體感應(yīng)傳感器,特別適用于采用繼電器或可控硅進(jìn)行功率控制的設(shè)計。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時,效率和可靠性會受到不利影響,必須添加電路以保護(hù)開關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通時,浪涌電流可能超過100A。反復(fù)暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負(fù)面影響。電觸點的預(yù)期壽命因浪涌電流需求
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          在單個封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案

          • 源設(shè)計者如今面臨兩個主要問題:消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導(dǎo)致傳輸設(shè)備過熱,并帶來后續(xù)必須解決的干擾難題;這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線路上的負(fù)載不是純電阻性的,輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移,從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負(fù)載使輸入電流波形失真,則會引起電流諧波,從而進(jìn)一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問題,需要了解功率變換的基本原理。電源當(dāng)中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路,整流管將交流電壓
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          利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

          • 目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組,它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側(cè)開關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成,能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations,包含內(nèi)部集成PowiGaN?開關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計效率高達(dá)95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
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          如何選擇合適的電路保護(hù)

          • 問題:有什么有源電路保護(hù)方案可以取代TVS二極管和保險絲?答案:可以試試?yán)擞恳种破鳌U行袠I(yè)的制造商都在不斷推動提升高端性能,同時試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達(dá)成平衡。設(shè)計人員面臨著平衡設(shè)計復(fù)雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個電子保護(hù)子系統(tǒng)為例,受其特性限制,無法進(jìn)行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護(hù)敏感且成本高昂的下游電子器件(FPGA、ASIC和微處理器),這些器件都要求保證零故障。許多傳統(tǒng)的可靠保護(hù)解決方案(例如二極管、保險絲和TVS器件)能夠保持待保護(hù)狀態(tài),但它們通常低效、體積龐大且需要維護(hù)。為
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          碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑

          • 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點,可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢,引領(lǐng)和加速了汽車電動化進(jìn)程,對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段,汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新,為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  新能源汽車  功率半導(dǎo)體  202110  MOSFET  SiC  

          東芝支持功能安全的車載無刷電機預(yù)驅(qū)IC的樣品出貨即將開始

          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,已開始供應(yīng)“TB9083FTG”的測試樣品,這是一種面向汽車應(yīng)用的預(yù)驅(qū)IC(其中包括電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)和電氣制動器使用的無刷電機)。東芝將在2022年1月提供最終樣品,并將在2022年12月開始量產(chǎn)。TB9083FTG是一種3相預(yù)驅(qū)IC,能夠控制和驅(qū)動用于驅(qū)動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產(chǎn)品支持ASIL-D[1]功能安全規(guī)范[2]且符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)第二版的要求,適用于高安全級別的汽車系統(tǒng)。這種新型IC內(nèi)置三通道預(yù)驅(qū),用于控制和
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          Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器被《21IC中國電子網(wǎng)》評為2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎獲獎產(chǎn)品。這款穩(wěn)壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝,以其高達(dá)40 A的額定輸出電流,優(yōu)于前代穩(wěn)壓器的功率密度和瞬變響應(yīng)能力受到表彰。Top 10電源產(chǎn)品獎已連續(xù)舉辦十九屆,成為業(yè)內(nèi)創(chuàng)新電源產(chǎn)品的標(biāo)志性獎項。獲獎產(chǎn)品由工程師投票,經(jīng)21IC編委會綜合技術(shù)創(chuàng)新、能效、應(yīng)用開
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  
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          mosfet介紹

            金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]

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