mosfet 文章進入mosfet技術(shù)社區(qū)

Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC

InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量，還可大幅提高電動汽車和工業(yè)應(yīng)用的效率
關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動汽車牽引逆變器

用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設(shè)計理念是實現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點，為電源SiP的設(shè)計提供參考。
關(guān)鍵字：系統(tǒng)級封裝腔體 3D堆疊鍵合銅片夾扣 202112 MOSFET

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用

本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實現(xiàn)二級保護的方案；論述了其實現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問題。
關(guān)鍵字：電池充放電管理雪崩短路漏電流 MOSFET 202112

大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

電池供電電機控制方案為設(shè)計人員帶來多項挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作；現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
關(guān)鍵字： MOSFET

ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AC/DC轉(zhuǎn)換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等，需要從國際視角構(gòu)建電源系統(tǒng)。其
關(guān)鍵字： MOSFET

ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運行保駕護航

一、復(fù)雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對相對不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機械系統(tǒng)的差異性，也可能導(dǎo)致標稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實上，在一定時間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
關(guān)鍵字： MOSFET

使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

如今，越來越多的設(shè)計者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個主要因素（在一個簡化模型中）：一個是串聯(lián)阻抗，稱為rds(on)，另一個是并聯(lián)電容，稱為coss。這兩個晶體管參數(shù)限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術(shù)，設(shè)計者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會增加，這會導(dǎo)
關(guān)鍵字： MOSFET

意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動電動汽車和工業(yè)應(yīng)用未來發(fā)展

※? ?意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用※? ?持續(xù)長期投資 SiC市場，意法半導(dǎo)體迎接未來增長服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進在電動汽車動力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場景應(yīng)用。作為 Si
關(guān)鍵字： MOSFET

CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關(guān)系

高溫半導(dǎo)體和功率模塊方面的領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)CISSOID 公司，與技術(shù)領(lǐng)先的、為新能源汽車超快速和超高安全性實時控制提供現(xiàn)場可編程控制器單元（FPCU）半導(dǎo)體架構(gòu)的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC）智能功率模塊（IPM）平臺實現(xiàn)了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動汽車電機驅(qū)動的緊湊型高效碳化硅逆變器的開發(fā)。該合作伙伴關(guān)系將提供一個碳化硅逆變器的模塊化平臺，從而提供高
關(guān)鍵字： MOSFET

安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應(yīng)用于服務(wù)器和電信

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴苛的能效規(guī)定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過優(yōu)化，可在各種不同的應(yīng)用和拓撲結(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開關(guān)特性和較低的門極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務(wù)器和電信系統(tǒng)是
關(guān)鍵字： MOSFET

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。近日，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，國產(chǎn)碳化硅功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司（簡稱派恩杰）的SiC MOSFET產(chǎn)品在新能源汽車OBC應(yīng)用驗證取得了重大突破，獲得了新能源汽車
關(guān)鍵字： MOSFET

安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅(qū)動器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻的企業(yè)和個人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎?wù)?。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎項，同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商獎。EE Awa
關(guān)鍵字： MOSFET

2021基本創(chuàng)新日盛大開啟碳化硅系列新品重磅發(fā)布

新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?；景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車級全碳化硅功
關(guān)鍵字：第三代半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET

東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設(shè)計小型
關(guān)鍵字： MOSFET

非常見問題第191期：負載點DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問題

問題：為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負載點轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應(yīng)用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應(yīng)用中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增，導(dǎo)致需要更快的數(shù)
關(guān)鍵字： MOSFET

共1265條 15/85 |‹ « 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 » ›|

mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]