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估算熱插拔MOSFET溫升的方案

　本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
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估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升

在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電...
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MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中
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MOSFET雪崩能量與器件熱性能和工作狀態(tài)相關(guān)性能

關(guān)鍵字：雪崩能量熱性能電源系統(tǒng) MOSFET

國際整流器公司擴大汽車專用MOSFET 組合

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。　　
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及工藝

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。　　技術(shù)要點：　　&mi
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Diodes新即插即用器件提升負載點轉(zhuǎn)換器效率

　　Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經(jīng)過優(yōu)化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業(yè)應(yīng)用的負載點轉(zhuǎn)換器提供高效的解決方案。
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如何為具體應(yīng)用恰當?shù)倪x擇MOSFET

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計者更好的使用功率MOSFET進行設(shè)計?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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瑞薩電子高壓MOS在進行產(chǎn)品開發(fā)時的注意要點

　　本文主要介紹瑞薩電子(又稱：Renesas)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開發(fā)時的選型以及特性的說明，為客戶的產(chǎn)品開發(fā)提供參考性的設(shè)計意見。　　MOSFET以其電壓控制、開關(guān)頻率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電源等產(chǎn)品中。Renesas高壓MOS涵蓋漏源電壓(VDSS)等級600V、800V、900V、1400V，具有極低的RDS(ON)和豐富的封裝系列，應(yīng)用十分廣泛。　　MOSFET最重要的兩個參數(shù)是漏源電壓(VDSS)和導通電阻RDS(ON)。電流值和最大耗散功率值必須仔細觀察，因為它們只有
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PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產(chǎn)品系列

　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時簡化系統(tǒng)設(shè)計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。　　歐洲
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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。　　
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Diodes 推出強固型MOSFET

　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時引起的雪崩能量而設(shè)計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對基本切換功能的嚴格要求。　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]