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IR 拓展堅固可靠、系統(tǒng)可擴展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統(tǒng)、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發(fā)電機系統(tǒng)等。　　與傳統(tǒng)的標準塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實現(xiàn)整個系統(tǒng)級尺寸和更低的成本，以及超高的性
關鍵字： IR MOSFET

滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET

當維持相同的結點溫度時，可以獲得更高的輸出功率和改善功率密度。另外，散熱能力的提高使得電路在提供額定電流的同時，還可以額外提供不超過額定電流50%的更高電流，并使器件工作在更低的溫度、減少發(fā)熱對其他器件的影響，也提高了系統(tǒng)的可靠性。
關鍵字：技術 MOSFET 封裝新型供電需求滿足

Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導通電阻

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPA
關鍵字： Vishay MOSFET

一種MOSFET雙峰效應的簡單評估方法

金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
關鍵字： MOSFET 雙峰效方法

Diodes 推出強固型MOSFET 輕松應對IP電話通信設備的嚴峻考驗

　　Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。　　Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
關鍵字： Diodes MOSFET

硅功率MOSFET在電源轉換領域的應用

　功率MOSFET作為雙極晶體管的替代品最早出現(xiàn)于1976年。與那些少數(shù)載流子器件相比，這些多數(shù)載流子器件速度更快、更堅固，并且具有更高的電流增益。因此開關型電源轉換技術得以真正商用化。早期臺式電腦的AC/DC開關電
關鍵字：領域應用轉換電源 MOSFET 功率

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

　　前言　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構成控制電路的獨特的光電元件的特點、構造、布線等。　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
關鍵字： Panansonic PhotoMOS MOSFET

瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

　　高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
關鍵字：瑞薩電子 MOSFET

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

　　b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。　　為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
關鍵字： Panasonic MOSFET PhotoMOS

IR 推出為 D 類應用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級等高頻開關應用。　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
關鍵字： IR MOSFET

基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關脈沖功率源控制技術中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關鍵技術。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設計及測試結果，并對其應用特點進行了分析和討論。
關鍵字： MOSFET 激光器觸發(fā)系統(tǒng)

Diodes 推出小型SOT963封裝器件

　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
關鍵字： Diodes MOSFET BJT TVS

MOSFET驅(qū)動器介紹及功耗計算

我們先來看看MOS關模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關鍵字： MOSFET 驅(qū)動器功耗計算

電源設計小貼士17：緩沖反向轉換器

之前，我們介紹了如何對正向轉換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進行緩沖?，F(xiàn)在，我們來研究如何對反向轉換器的 FET 關斷電壓進行緩沖。圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于
關鍵字：轉換器緩沖設計 MOSFET TI 德州儀器

Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

　　前言: 　　Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達到八億個，堪稱是一款銷售成績驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應;②從傳感器輸入信號水平到高頻的控制;③從聲音信號到高頻用途的對應;④高可靠性和長使用壽命;⑤可進行表面安裝的SMD型;⑥多功能
關鍵字：松下電工 MOSFET PhotoMOS 光電耦合器

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]