- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合，可為服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。
NexF
- 關鍵字：
TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D
- 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。
傳統(tǒng)上，設計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉換中實現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉換
- 關鍵字：
Vishay MOSFET DC-DC 轉換器
- 英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調制)級等能源轉換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術融合了現(xiàn)代超結結構及包括超低單位面積導通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內的補償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關損耗、更簡單的開關特性控制特性和更結實耐用的增強型體二極管。
C6系列是英飛凌推
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET CoolMOS C6
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續(xù)導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
- 關鍵字：
Fairchild MOSFET FDMS7650
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合，可為服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現(xiàn)高性能。
NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達 1.5 MHz 的開關頻率生
- 關鍵字：
TI MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。
Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進行細致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結構復雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術生成的MOSFET模型提高了仿真精度。
設計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
- 關鍵字：
Vishay 熱仿真工具 MOSFET ThermaSim
- 功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
- 關鍵字：
MOSFET IGBT 功率半導體
- 功率半導體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業(yè)收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
- 關鍵字：
MOSFET IGBT
- Maxim推出單端口、供電設備(PSE)控制器MAX5971A，適用于IEEE® 802.3af/at兼容的大功率以太網(wǎng)供電(PoE+)應用。器件集成導通電阻為0.5Ω的功率MOSFET和檢測電阻，有效節(jié)省了空間和成本，能夠為IP電話、IP照相機、無線LAN接入點以及視頻監(jiān)控照相機等用電設備(PD)提供每端口高達40W的功率。
MAX5971A完全兼容IEEE 802.3af和IEEE 802.3at標準。器件工作在32V至60V電壓范圍，為IEEE 802.3af/at兼容
- 關鍵字：
Maxim 控制器 MOSFET
- 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應以及
- 關鍵字：
MOSFET VP-P 120 電壓
- 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
- 關鍵字：
MOSFET 高頻特性 放大器
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內，貼裝業(yè)界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿足當今市場對時
- 關鍵字：
英飛凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
- 關鍵字：
解析 能量 雪崩 UIS MOSFET
- 用作功率開關的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅動變?yōu)殡妷候寗?，加快了這些產(chǎn)品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
- 關鍵字：
考量 設計 MOSFET 功率 基于
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。
新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
- 關鍵字：
Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
