mosfet 文章進(jìn)入mosfet技術(shù)社區(qū)

Diodes推出新型MOSFET 半橋器件

　　Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計(jì)。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補(bǔ)N型和P型MOSFET，可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時(shí)大幅降低整體存貨成本。” 　　ZXM
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 半橋器件 ZXMHC SO8

Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器

　　Maxim推出內(nèi)置升壓開關(guān)的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關(guān)。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達(dá)5A的持續(xù)負(fù)載電流，在保證高效率的同時(shí)減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進(jìn)一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動(dòng)PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機(jī)及其它緊湊的低功耗應(yīng)用。　　MAX17083采用電流模式
關(guān)鍵字： Maxim 降壓調(diào)節(jié)器 MAX17083 MOSFET

英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列

　　今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會(huì)上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源(SMPS)、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。　　OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開關(guān)模式電源(譬如面向全球市場的臺(tái)式機(jī)和計(jì)算機(jī)服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS

解決SMPS難題

本文描述了不對稱半橋轉(zhuǎn)換器的基本工作原理，并介紹了一種相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解決方案具有顯著優(yōu)勢的集成式功率開關(guān)。此外還闡釋了這種專門為軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)的功率開關(guān)如何降低設(shè)計(jì)總成本和元件數(shù)目、減小尺寸和重量，同時(shí)提高效率、產(chǎn)能和系統(tǒng)可靠性。
關(guān)鍵字：飛兆 SMPS PWM MOSFET PCB版圖設(shè)計(jì) 200906

IR推出AUIRS2003S 200V IC

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車應(yīng)用，包括汽車預(yù)電充開關(guān)、步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。　　AUIRS2003S符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，是一款堅(jiān)固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，并備有高、低側(cè)參考輸出通道，適用于惡劣的汽車環(huán)境及引擎罩下的應(yīng)用。這款輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)降至最低，而浮動(dòng)通道可在最高200V的高側(cè)配置中驅(qū)動(dòng)一個(gè) N 溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅(qū)動(dòng)器IC

IR推出增強(qiáng)型25V及30V MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。　　新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的硅技術(shù)，可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負(fù)載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率
關(guān)鍵字： IR MOSFET 硅技術(shù)

MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能

　　Diodes公司應(yīng)用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開關(guān)。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強(qiáng)模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個(gè)相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。　　與傳統(tǒng)便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DFN封裝

飛兆推出可將導(dǎo)通電阻降低50％的100V MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導(dǎo)通阻抗，同時(shí)保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET

IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。　　新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實(shí)現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶，并可減少由
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Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器

　　Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器，以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓?？刂破鬟€包含一路低電流(5mA)，“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器，當(dāng)筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時(shí)為實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)供電。MAX17031能夠?yàn)楣P記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設(shè)備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。　　器件采用低邊MOSFET
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飛兆半導(dǎo)體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求，采用延長電池壽命的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來越迫切的問題。
關(guān)鍵字： MOSFET 節(jié)能

Diodes 推出全新OR'ing 控制器

　　Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運(yùn)行時(shí)間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機(jī)應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)更低溫度的運(yùn)行、更少的維護(hù)和更可靠的操作。　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示，傳統(tǒng)上用于電源故障保護(hù)的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強(qiáng)的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導(dǎo)通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車的燃油效率

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高邊和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
關(guān)鍵字： Fairchild 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET IGBT

電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國大有盼頭

盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國電源管理半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷了多年的快速增長之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國家政策刺激拉動(dòng)整機(jī)設(shè)備制造保持增長，今后兩年中國的市場需求整體也將繼續(xù)較快增長，預(yù)計(jì)增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
關(guān)鍵字：電源管理節(jié)能 IGBT MOSFET 數(shù)字電源穩(wěn)壓器 200903

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]