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          凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352

          •   MOSFET 理想二極管控制器在低壓應用中,為堅固的電源“或”提供快速接通和關斷   凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352,該器件使多個電源能夠進行低損耗“或”連接而對電源電壓有最小干擾。LTC4352 調(diào)節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降,以確保在二極管“或”應用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統(tǒng)中,控制器之間的慢切換導
          • 關鍵字: 凌力爾特  MOSFET  理想二極管  控制器  

          提升輕負載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率

          中國功率半導體器件市場正經(jīng)歷風雨轉(zhuǎn)折

          •   受到市場需求減緩以及庫存調(diào)整等問題的影響,2007年,中國功率器件市場增長率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降,市場銷售額為762.3億元,比2006年增長了13.3%。                   在中國功率器件市場中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占到整體市場的80%
          • 關鍵字: 功率器件  消費電子  電源管理IC  MOSFET  

          卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

          •   卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場效應管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝,具有極低的導通電阻,并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝,同時具有極佳的反向漏電特性。   該兩款產(chǎn)品主要應用在充電電路,DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個器件在正向?qū)〞r具有很低的正向壓降,不僅滿足使用USB接口進行充電的要求,同時具有極低的功率耗散,提升整個系統(tǒng)的能效。   這兩款產(chǎn)
          • 關鍵字: MOSFET  卓芯微電子  充電電路  電源管理  

          汽車電子功率MOSFET技術

          Maxim推出高壓、高速MOSFET驅(qū)動器

          •   Maxim推出高壓、高速MOSFET驅(qū)動器MAX15018/MAX15019,用于驅(qū)動高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳,允許高達125V的輸入電壓,該指標優(yōu)于競爭產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標準的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容,理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中,保證足夠的安全裕量。   MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流,傳輸延遲僅為35ns (典型值),驅(qū)動器之間能夠保證2ns (
          • 關鍵字: Maxim  MOSFET  驅(qū)動器  TTL  

          ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅(qū)動能效

          •   意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性能。   新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET,無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程,典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括:開關損耗低,抗雪崩性能強。除提高散熱效率外,九線源極連接配置還有助于
          • 關鍵字: MOSFET  ST  意法半導體  晶體管  

          性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)

          •   不同應用對功率半導體器件提出了新的需求,包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等,這些新的需求又對功率半導體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。   天津中環(huán)半導體股份有限公司技術部部長饒祖剛表示,性能不同的功率半導體器件滿足了差異化應用的需求,而這些不同功率半導體器件對制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。   功率器件要滿足差異化應用需求   功率半導體器件工作在大功率條件下,除了要具備低功耗的特點外,不同的應用還提出了一些新需求。例如,在電動車、混合動力汽車這樣的應用中,功率半導體器件需要
          • 關鍵字: 功率半導體器件  低功耗  MOSFET  

          凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446,用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器,或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。   這個強大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
          • 關鍵字: 凌力爾特  MOSFET  驅(qū)動器  轉(zhuǎn)換器  

          凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4447

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4447,該器件用來在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器加上功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器,就可組成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。   LTC4447 在一個 4V 至 6.5V 的電壓范圍內(nèi)對上端和下端 MOSFET 柵極進行軌至軌驅(qū)動,并可從一個高達 38V 的電
          • 關鍵字: 凌力爾特  MOSFET  驅(qū)動器  轉(zhuǎn)換器  

          Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝,具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導通電阻。   隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加,電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設備的更長運行時間的期望,
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  芯片  手機  PDA  數(shù)碼相機  MP3  智能電話  

          凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446,用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器,或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。   這個強大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
          • 關鍵字: 凌力爾特  MOSFET  驅(qū)動器  轉(zhuǎn)換器  

          Linear推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446,用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器,或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。   這個強大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
          • 關鍵字: Linear  MOSFET  驅(qū)動器  轉(zhuǎn)換器  

          凌力爾特推出60V高壓側(cè)電流檢測 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

          •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側(cè)電流檢測 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3755,該器件為驅(qū)動大電流 LED而設計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應用,如汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET,可以用標稱 12V 的輸入驅(qū)動多達 14 個 1A 的白光 LED,提供超過 50W 的功率。該器件具高壓側(cè)電流檢測,能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓撲中。LT3755 在升壓模
          • 關鍵字: 凌力爾特  轉(zhuǎn)換器  高壓側(cè)電流檢測  LED  MOSFET  

          Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關的8串白光LED (WLED)驅(qū)動器

          •   Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關的8串白光LED (WLED)驅(qū)動器MAX17061。器件采用內(nèi)部開關型電流模式升壓控制器驅(qū)動LED陣列,最多可驅(qū)動8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個LED)。為保證均勻的LED亮度,每串LED采用一個電流源驅(qū)動,各串之間的電流均衡精度可達±1.5%。另外,MAX17061還提供一路DPWM信號,用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時進行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設置,進一步增加
          • 關鍵字: Maxim  MOSFET  WLED  驅(qū)動器  
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          mosfet介紹

            金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]

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