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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
- 在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷(xiāo)售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷(xiāo)售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷(xiāo)售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。 從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷(xiāo)售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷(xiāo)售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷(xiāo)售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率晶體管 消費(fèi)電子 IC LDO 液晶電視
Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器
- 麥克雷爾公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM） 同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項(xiàng)在 MIC23030/1 中實(shí)施的專利架構(gòu)能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET，可在一個(gè)1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封裝中提供高達(dá)4億安的輸出電流，而損耗量?jī)H為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM） 降壓調(diào)節(jié)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)93
- 關(guān)鍵字： 麥克雷爾 Micrel 降壓調(diào)節(jié)器 MOSFET
安森美半導(dǎo)體與中國(guó)領(lǐng)先空調(diào)制造商達(dá)成設(shè)計(jì)協(xié)作
- 高能效電源解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）日前宣布，佛山市中格威電子有限公司（廣東志高集團(tuán)）選用其N(xiāo)CP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電，實(shí)現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機(jī)能耗。 安森美半導(dǎo)體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦（W）輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導(dǎo)體專有的跳周期工作技術(shù)使空調(diào)在低峰值電流下工作；公司的高壓技術(shù)體現(xiàn)在帶有啟動(dòng)電流源的內(nèi)置700 V MOSFET，而這MOSFET和啟動(dòng)電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
- 關(guān)鍵字： 安森美 電源 能耗 MOSFET
MagnaChip 為液晶顯示器推出互補(bǔ)型 N-P 通道 MOSFET 系列
- MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）系列。 這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專為液晶電視和液晶顯示器逆變器設(shè)計(jì)的 N 通道功率和 P 通道功率互補(bǔ) MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設(shè)計(jì)提供了一個(gè)最優(yōu)化的解決方案，有 DPAK（分立元件封裝）和 SOIC-8（小型集成電路封裝），在單一設(shè)備中綜合了 N 通道和 P 通道，從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外，該 N-P 多芯片 MOS
- 關(guān)鍵字： 液晶 MagnaChip MOSFET 顯示器
基于場(chǎng)效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)
- 1 引言 長(zhǎng)期以來(lái)，直流電機(jī)以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點(diǎn)成為大多數(shù)變速運(yùn)動(dòng)控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計(jì)算機(jī)在控制領(lǐng)域，高開(kāi)關(guān)頻率、全控型第二代電力半導(dǎo)體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展，以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術(shù)的應(yīng)用，直流電機(jī)得到廣泛應(yīng)用。為適應(yīng)小型直流電機(jī)的使用需求，各半導(dǎo)體廠商推出了直流電機(jī)控制專用集成電路，構(gòu)成基于微處理器控制的直流電機(jī)伺服系統(tǒng)。但是，專用集成電路構(gòu)成的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求
- 關(guān)鍵字： 直流電機(jī) 驅(qū)動(dòng) PWM MOSFET
Vishay推出 P通道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類(lèi)型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。 日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類(lèi)器件，目前此類(lèi)器件又
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET p 通道 功率
PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動(dòng)器PAM2842
- PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動(dòng)器,采用臺(tái)積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍，它是一個(gè)非常靈活的LED驅(qū)動(dòng)器,可以工作于升壓、降壓、升降壓（SEPIC）三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來(lái)驅(qū)動(dòng)10個(gè)3瓦的LED，或者30個(gè)1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率，使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時(shí)，都能正常工作。因?yàn)槔昧伺_(tái)積
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)器 PAM MOSFET LED 臺(tái)積電
凌力爾特推出寬輸入電壓范圍同步降壓型DC/DC 控制器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3851，該器件驅(qū)動(dòng)所有 N 溝道功率 MOSFET 級(jí)并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類(lèi)繁多的應(yīng)用，包括大多數(shù)中間總線電壓和電池化學(xué)組成。強(qiáng)大的片上 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達(dá) 20A 的輸出電流，從而使 LTC3851 非常適合于負(fù)載點(diǎn)需求。應(yīng)用包括汽車(chē)、工業(yè)、
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 穩(wěn)壓器 控制器 MOSFET
Maxim推出2.2MHz、雙路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器
- Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開(kāi)關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX5098A/MAX5099.轉(zhuǎn)換器直接采用汽車(chē)電池供電，集成了能承受高達(dá)80V瞬態(tài)電壓的拋負(fù)載保護(hù)電路，器件的工作電壓可低至4.5V，以適應(yīng)冷啟動(dòng)情況。另外，器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開(kāi)關(guān)頻率范圍，從而可以工作于AM頻段以外的頻率。可靠的保護(hù)特性和較寬開(kāi)關(guān)頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設(shè)備、儀表盤(pán)顯示器和汽車(chē)廣播等汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。
- 關(guān)鍵字： Maxim DC-DC 轉(zhuǎn)換器 MOSFET
中國(guó)電動(dòng)自行車(chē)消費(fèi)需求減弱 沖擊半導(dǎo)體市場(chǎng)
- 據(jù)iSuppli公司，預(yù)計(jì)2008年中國(guó)市場(chǎng)電動(dòng)自行車(chē)出貨量將低于2007年，與2005年大增80%以及過(guò)去10年94%的復(fù)合年增長(zhǎng)率形成鮮明對(duì)比。2008年中國(guó)電動(dòng)自行車(chē)產(chǎn)量將達(dá)到2110萬(wàn)輛，營(yíng)業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬(wàn)的出貨量下降不到1%。這意味著今年中國(guó)的多數(shù)電動(dòng)自行車(chē)廠商可能遭遇虧損。 圖 2004-2012年中國(guó)電動(dòng)自行車(chē)產(chǎn)量與預(yù)測(cè) 來(lái)源：iSuppli，2008年6月 中國(guó)電動(dòng)自行車(chē)廠商目前面臨更加不確定的消費(fèi)者以及更加嚴(yán)格的政府法規(guī)。經(jīng)過(guò)10年
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 電動(dòng)自行車(chē) MOSFET 電池 200808
凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352
- MOSFET 理想二極管控制器在低壓應(yīng)用中，為堅(jiān)固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352，該器件使多個(gè)電源能夠進(jìn)行低損耗“或”連接而對(duì)電源電壓有最小干擾。LTC4352 調(diào)節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降，以確保在二極管“或”應(yīng)用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統(tǒng)中，控制器之間的慢切換導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 MOSFET 理想二極管 控制器
提升輕負(fù)載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率
- 為幫助提高DC/DC在更輕負(fù)載和更高頻率下的轉(zhuǎn)換效率，可以將肖特基二極管集成到MOSFET芯片中，構(gòu)成單個(gè)封裝，以降 ...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 體二極管 反向恢復(fù) DC 正向壓降 死區(qū)時(shí)間 電荷理論 肖特基二極管 轉(zhuǎn)換效率 效率水平
中國(guó)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)正經(jīng)歷風(fēng)雨轉(zhuǎn)折
- 受到市場(chǎng)需求減緩以及庫(kù)存調(diào)整等問(wèn)題的影響，2007年，中國(guó)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場(chǎng)銷(xiāo)售額為762.3億元，比2006年增長(zhǎng)了13.3%。 在中國(guó)功率器件市場(chǎng)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷(xiāo)售額占到整體市場(chǎng)的80%
- 關(guān)鍵字： 功率器件 消費(fèi)電子 電源管理IC MOSFET
卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品
- 卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝，具有極低的導(dǎo)通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開(kāi)啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時(shí)具有極佳的反向漏電特性。 該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在充電電路，DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個(gè)器件在正向?qū)〞r(shí)具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進(jìn)行充電的要求，同時(shí)具有極低的功率耗散，提升整個(gè)系統(tǒng)的能效。 這兩款產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 卓芯微電子 充電電路 電源管理
汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)
- 過(guò)去15到20年間，汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪?..
- 關(guān)鍵字： MOSFET 汽車(chē)電子系統(tǒng) 系統(tǒng)功率
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類(lèi)比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]
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