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可測試低電流電源的簡單雙恒流載荷

當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關(guān)電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標準現(xiàn)成的電負載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負載條件以滿足合適的設計。多數(shù)標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結(jié)果并不準確，多數(shù)顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負載設計，這種設計可以利用廉價的通用元件來構(gòu)建電路。負載電流流過MOSFET和一個 1Ω
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運算放大器放大器

飛兆半導體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅(qū)動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
關(guān)鍵字：消費電子飛兆半導體 FDMF8700 MOSFET 消費電子

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構(gòu)。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式

飛兆半導體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導體的Power Trench®工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆半導體 MOSFET ESD 模擬IC 電源

電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

1 引言　　人類的經(jīng)濟活動已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電（單相或三相）與負載之間，向負載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設備，是工業(yè)的基礎。　　電源技術(shù)是一種應用功率半導體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動控制技術(shù)的多學科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學科互相滲透的綜合性技術(shù)學科。他對現(xiàn)代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新高頻 MOSFET 模擬IC 電源

帶電流感應的±4A數(shù)字控制兼容型單低端MOSFET驅(qū)動

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設計與應用指南

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品

　　NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。　　此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導通阻抗最大可減至一半。　　對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設計時的負擔。　　新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導通阻抗的不同而有
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高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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如何計算高功率電源中MOSFET的功耗

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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功率MOSFET原理及其應用介紹

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關(guān)鍵字： MOSFET 美國國家半導體

飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機飛兆半導體嵌入式系統(tǒng)

Fairchild推出互補型40V MOSFET改進LCD設計

飛兆半導體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
關(guān)鍵字： Fairchild LCD設計 MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD

Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯

Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負載。
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ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6

4月20日訊,半導體制造商ROHM株式會社（總社設在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]