全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡領域的計算應用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的硅技術，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實現(xiàn)高效率
關鍵字：
IR MOSFET 硅技術
Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術,推出便攜式充電設備的開關。
Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個20V的P溝道增強模式MOSFET與一個配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。
與傳統(tǒng)便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
關鍵字：
Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進的PowerTrench® 工藝技術，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時保持優(yōu)良的開關性能和穩(wěn)健性
關鍵字：
Fairchild MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應用。
新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由
關鍵字：
IR 溝道 MOSFET
Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器，以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓?？刂破鬟€包含一路低電流(5mA)，“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器，當筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。
器件采用低邊MOSFET
關鍵字：
Maxim MOSFET 控制器
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術，實現(xiàn)更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采
關鍵字：
Fairchild MOSFET
前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。
關鍵字：
MOSFET 節(jié)能
Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中，實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。
Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權表示，傳統(tǒng)上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
關鍵字：
Diodes MOSFET
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
關鍵字：
Fairchild 柵極驅(qū)動器 MOSFET IGBT
許多電子設計應用要求的激勵源幅度超出了當前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導體應用，如汽車電子系統(tǒng)和開關電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器，以及科學和工業(yè)應用中使用的其它設備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應用，說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
關鍵字：
泰克 MOSFET IGBT 200903
電動工具由于其設計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn)，具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
關鍵字：
系統(tǒng) 可靠性 電動工具 提高 MOSFET 選擇
產(chǎn)品特性：
耐壓650V
STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）
STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）
采用了改進Super Junction結構
應用范圍：
太陽能電池功率調(diào)節(jié)器
關鍵字：
意法 MOSFET IGBT
電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字：
MDmeshV MOSFET RDS
自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來，DSP技術得到了突飛猛進的發(fā)展。DSP電源設計是DSP應用系統(tǒng)設計的一...
關鍵字：
DSP CPU 電源芯片 MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473