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nand 閃存
nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
存儲(chǔ)技術(shù)大比拼:閃存與磁盤的區(qū)別
- 在過(guò)去的幾年里，閃存與磁盤之間的爭(zhēng)議很多，也發(fā)生了顯著的變化?，F(xiàn)在，我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使 ...
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旺宏電子涉嫌侵犯 Spansion 閃存專利權(quán)被訴訟調(diào)查
- 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商 Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)經(jīng)投票表決，決定啟動(dòng)針對(duì)臺(tái)灣旺宏電子股份有限公司的不公正進(jìn)口的調(diào)查。ITC 的這個(gè)決定令 Spansion 公司提出的起訴生效，并有效地推翻了旺宏最后的反訴。 Spansion 在起訴中提出旺宏電子的 NOR 閃存與 XtraROM 產(chǎn)品了 Spansion 侵犯 6 項(xiàng)與存儲(chǔ)單元安全、閃存芯片生產(chǎn)制造和結(jié)構(gòu)相關(guān)的專利，這些芯片被廣泛應(yīng)用于游戲設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、網(wǎng)絡(luò)
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基于閃存的FPGA添臂力 便攜式醫(yī)療設(shè)備可靠度大增
- 便攜式醫(yī)療產(chǎn)品逐漸獲得市場(chǎng)青睞，如何開(kāi)發(fā)出更小尺寸、更低功耗與高可靠度的產(chǎn)品已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員首要課題 ...
- 關(guān)鍵字： 閃存 FPGA 便攜式 醫(yī)療設(shè)備
三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。 三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)
- 不讓韓國(guó)三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O(píng)果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。 研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
nand 閃存介紹
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