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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nand 閃存

          LSI全新Nytro 智能化閃存解決方案上市

          • LSI 公司(紐約證交所股票代碼:LSI)日前推出了全面的 Nytro 系列解決方案,能夠?qū)?PCIe? 閃存技術(shù)與智能高速緩存和管理軟件進(jìn)行完美結(jié)合,從而明顯提高數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境的應(yīng)用性能。
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          嵌入式系統(tǒng)中Nand Flash寫平衡的研究

          • 隨著嵌入式技術(shù)在電子信息等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備容量和性能的要求也日益提高。Nand Flash在這一領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,由于Nand Flash在寫操作之前需要擦除整塊且使用壽命有限,因此,如何更有效的管理好
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          內(nèi)存芯片放顯屏上?透明柔性3D內(nèi)存芯片制成顯示屏

          •   據(jù)麻省理工 新發(fā)明的透明柔性3D存儲(chǔ)芯片會(huì)成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌,可以像紙一樣折疊,而且可以耐受1000華氏度的溫度,是廚房烤箱最高溫度的兩倍,而且可以耐受其他有害條件,有助于開發(fā)下一代內(nèi)存,可與閃存競(jìng)爭(zhēng),用于明天的隨身碟,手機(jī)和電腦,這是科學(xué)家在3月27日?qǐng)?bào)道的。   在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)(American Chemical Society)第243屆全國(guó)會(huì)議暨博覽會(huì)(243rd National Meeting & Exposition)上,發(fā)明者說(shuō),一些設(shè)備使用這
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          SK海力士與飛索半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

          •   SK海力士于本周二宣布,公司與美國(guó)飛索半導(dǎo)體(SpansionInc.)簽署了可以相互使用對(duì)方專利的特許以及SLCNAND閃存產(chǎn)品的供應(yīng)協(xié)議。   SK海力士解釋說(shuō),此次簽署的協(xié)議包括雙方在使用對(duì)方的專利時(shí)不需要另外交付專利費(fèi)。   最近全球的專利糾紛急劇增加,兩家公司在這樣的情況下能夠通過該協(xié)議,就更能減少糾紛的發(fā)生可能,并且縮小了經(jīng)營(yíng)上的不確定性。   此外,SK海力士還可以借助該協(xié)議掌握穩(wěn)定供應(yīng)嵌入式SLCNAND閃存產(chǎn)品的供應(yīng)商。嵌入式SLCNAND閃存是使用于IT設(shè)備內(nèi)部?jī)?chǔ)存的高增值產(chǎn)
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          東芝慶祝其閃存技術(shù)發(fā)明二十五周年

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,NAND閃存技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有25年的歷史了,而東芝打算來(lái)合理地慶祝這一上個(gè)世紀(jì)80年代在其實(shí)驗(yàn)室被發(fā)明的革命性技術(shù)。東芝稱,幸虧有了閃存,現(xiàn)在人們才得以在他們生活的各個(gè)方面享受內(nèi)容上的創(chuàng)新及先進(jìn)的電子產(chǎn)品。   東芝稱,“NAND閃存市場(chǎng)增長(zhǎng)的很快,其閃存發(fā)貨量在2011年要比DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)多很多,NAND閃存已經(jīng)成為多數(shù)人選擇的硅存儲(chǔ)方式。NAND閃存現(xiàn)在應(yīng)用在一系列的存儲(chǔ)卡上及USB設(shè)備中,在許多消費(fèi)者、工業(yè)及企業(yè)的云程序中也可以見到?!?
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          Spansion與SK海力士宣布NAND戰(zhàn)略合作

          • Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟,并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?;陔p方合作開發(fā)的首款Spansion? SLC NAND產(chǎn)品將于2012年第二季度面世。作為合作的一部分,雙方將同時(shí)簽訂專利交互授權(quán)協(xié)議。
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          “BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”側(cè)記

          • 2012年,隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā),有一種半導(dǎo)體器件會(huì)受到產(chǎn)業(yè)的萬(wàn)眾矚目----這就是Nand Flash,Gartner預(yù)估今年NAND Flash市場(chǎng)增長(zhǎng)18%! 年初以來(lái),NAND Flash大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計(jì)劃,各大廠工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm,三星西安建廠發(fā)力10nm Nand Flash!可以說(shuō),一場(chǎng)圍繞Nand Flash應(yīng)用的存儲(chǔ)大變革正在進(jìn)行,Nand Flash應(yīng)用變革給本土業(yè)者帶來(lái)哪些機(jī)遇?智能手機(jī)、平板電腦供應(yīng)商如何看待
          • 關(guān)鍵字: BIWIN  Nand Flash  

          閃存技術(shù)商Violin Memory完成D輪融資5千萬(wàn)美元

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,利用閃存技術(shù)建立儲(chǔ)存陣列的科技公司ViolinMemory,計(jì)劃于周一宣布完成規(guī)模達(dá)5000萬(wàn)美元的D輪融資。該公司迄今為止已累積獲得投資資金8億美元。   參與此輪融資的投資者包括有:出于戰(zhàn)略考量的日本芯片和電子產(chǎn)品制造商?hào)|芝、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備生產(chǎn)商Juniper、德國(guó)商務(wù)軟件巨頭SAP,以及投資機(jī)構(gòu)Highland資本。   此外,Violin首席執(zhí)行官唐·巴斯勒(DonBasile)還透露,公司正在為今年底的IPO計(jì)劃尋找合適的銀行家。   “上周我們進(jìn)行
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          東芝將新建NAND閃存芯片工廠

          • 北京時(shí)間4月4日下午消息,據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道,由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加,東芝最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
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          NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

          • 什么是SLC?SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過對(duì)浮置閘極的電荷加電壓,
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          淡季效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵 NANDFlash合約價(jià)下跌

          •   根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,受第一季淡季效應(yīng)的影響,零售市場(chǎng)的記憶卡與隨身碟需求持續(xù)疲軟,再加上OEM客戶的新機(jī)種上市時(shí)間點(diǎn),最快也會(huì)落于2Q12,使得NANDFlash下游客戶端皆持續(xù)采取保守的庫(kù)存策略,以降低營(yíng)運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)。在買方購(gòu)買意愿不強(qiáng)的情況下,賣方過去采取的降價(jià)促銷策略效果有限,價(jià)格若繼續(xù)下跌,恐將侵蝕自身的獲利水平,使得部分賣方降價(jià)意愿已大幅降低。上述因素乃是造成3月下旬NANDFlash合約價(jià)呈現(xiàn)微幅走跌的原因。集邦科技表示,2012年上半
          • 關(guān)鍵字: 集邦科技  NAND  平板  

          Spansion批量生產(chǎn)業(yè)界最高密度單芯片512 Mb串行閃存

          •   行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE),日前宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion FL-S串行(SPI) NOR閃存,該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb,具有比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數(shù)據(jù)讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應(yīng)用中極大地提高了用戶體驗(yàn),例如汽車組合儀表盤和信息娛樂系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機(jī)頂盒。   S
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          MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器

          • MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器能夠?qū)Χ鄠€(gè)系統(tǒng)電壓進(jìn)行管理。MAX16070/MAX16071還可通過專用的高邊 ...
          • 關(guān)鍵字: MAX16070  MAX16071  閃存  監(jiān)測(cè)器  

          盡管UFS出現(xiàn),但eMMC NAND閃存仍然具有活力

          •   雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn),2013年將在移動(dòng)NAND閃存市場(chǎng)引發(fā)新的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng),但較舊的嵌入多媒體存儲(chǔ)卡(eMMC)標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位,屆時(shí)出貨量將強(qiáng)勁增長(zhǎng)37%。   據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào),2013年eMMC解決方案的出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到7.111億個(gè),高于2012年的5.203億個(gè)。   尚沒有關(guān)于UFS的預(yù)測(cè),但eMMC憑借其增強(qiáng)的安全性與出色性能,預(yù)計(jì)繼續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng),這種勢(shì)頭至少能保持到2015年,屆時(shí)在手機(jī)和其它消費(fèi)電子
          • 關(guān)鍵字: NAND  UFS  

          存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國(guó)制造帶來(lái)了什么機(jī)遇?

          • 縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史,一種新興技術(shù)的出現(xiàn),影響的不只是個(gè)別公司的興衰,更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型,新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器,也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源,當(dāng)年的光盤存儲(chǔ)技術(shù)興起,就帶動(dòng)了中國(guó)整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè),現(xiàn)在,我們又將迎來(lái)新一輪的存儲(chǔ)技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)給我們的本土企業(yè)帶來(lái)了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會(huì)聊做分析。
          • 關(guān)鍵字: 泰勝微  存儲(chǔ)  NAND FLASH   
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          nand 閃存介紹

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