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nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達(dá)36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達(dá)35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達(dá)53.63億美元。　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強(qiáng)震，對
關(guān)鍵字：三星電子 NAND

Spansion公司發(fā)布2011年第一季度財報

　　行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(NYSE:CODE)今日發(fā)布截止至2011年3月27日第一財季的運(yùn)營成果。由于公司重組后實(shí)行的新會計計量產(chǎn)生的影響，Spansion公司同時提供GAAP和非GAAP結(jié)果。公司美國GAAP凈銷售額為2.929億美元，經(jīng)營虧損70萬美元，凈虧損1410萬美元。公司美國非GAAP調(diào)整后凈銷售額2.944億美元，調(diào)整后運(yùn)營收入3850萬美元，調(diào)整后凈收入為2510萬美元。
關(guān)鍵字： Spansion 閃存

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn)

帶有雙組閃存的MCU優(yōu)點(diǎn),MCU(微控制器)在過去幾十年里在CPU性能、通信接口、模數(shù)和數(shù)模外設(shè)、內(nèi)存大小及讀寫次數(shù)等方面呈指數(shù)發(fā)展。我們專注于帶有非易失性嵌入式存儲器的MCU(我們在USB閃存驅(qū)動器、存儲器等內(nèi)擁有閃存)，從首批帶有一次性編
關(guān)鍵字： MCU優(yōu)點(diǎn) 閃存雙組帶有

三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

　　據(jù)了解，由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND Flash

三星、海力士擴(kuò)大NAND Flash投資

　　由于智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計算機(jī)(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。　　
關(guān)鍵字：三星 NAND 移動設(shè)備

美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手機(jī)等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強(qiáng)震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。　　
關(guān)鍵字：美光 NAND

4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。　
關(guān)鍵字：閃存 NAND

東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。　
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實(shí)現(xiàn)壞塊管理并且實(shí)現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 分析系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND

Intel鎂光新加坡閃存合資廠舉辦正式開業(yè)儀式

　　Intel與鎂光的閃存合資企業(yè)IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開業(yè)儀式。這間工廠耗資近30億美元，員工人數(shù)有望達(dá)到1200人。這間工廠從去年中期開始已經(jīng)在生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，目前正在提升該產(chǎn)品的產(chǎn)量，預(yù)計今年晚些時候該廠將能開足馬力進(jìn)行生產(chǎn)。　
關(guān)鍵字： Intel 閃存

東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?！?/li>
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

　　據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應(yīng)了在上個月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲芯片價格的情況。　　
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

英特爾稱其20納米閃存技術(shù)領(lǐng)先三星

　　英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術(shù)，英特爾稱利用這一技術(shù)將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。　　英特爾的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案部門的總經(jīng)理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模，因?yàn)槲覀儗谥瞥碳夹g(shù)上持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界轉(zhuǎn)換至越來越微小的技術(shù)?！?/li>
關(guān)鍵字：英特爾 20納米閃存

IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機(jī)和平板計算機(jī)里的儲存裝置可以進(jìn)一步縮小。　　
關(guān)鍵字： Micron NAND

英特爾和美光IM 廠合約將盡

　　英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)?！　?/li>
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

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nand 閃存介紹

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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計改進(jìn)方案
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