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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nand 閃存

          基于DSP的溫度采集記錄儀的設(shè)計(jì)

          • 引言自從20世紀(jì)70年代能源危機(jī)爆發(fā)以來(lái),人們便逐漸意識(shí)到世界上的能源并不是取之不盡,用之不竭的。因此,...
          • 關(guān)鍵字: 閃存  TMS320LF2407  

          9月上旬NAND Flash合約價(jià)出現(xiàn)穩(wěn)定格局

          •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起,已開(kāi)始準(zhǔn)備4Q11新機(jī)型上市所需的庫(kù)存回補(bǔ)所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價(jià)大致維持平盤,雖然記憶卡及UFD通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)平淡,但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
          • 關(guān)鍵字: 集邦科  NAND  記憶卡  

          汽車數(shù)字儀表群與存儲(chǔ)架構(gòu)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

          • 本文首先將重點(diǎn)闡述汽車設(shè)計(jì)/可靠性方面的一些限制,然后會(huì)評(píng)測(cè)數(shù)字儀表群架構(gòu),以及存儲(chǔ)子系統(tǒng)的取舍對(duì)于未來(lái)...
          • 關(guān)鍵字: 閃存  存儲(chǔ)架構(gòu)  Freescale  

          ultrabook帶來(lái)新契機(jī) NAND Flash需求9月或回溫

          •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查,市場(chǎng)預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫(kù)存回補(bǔ)需求,9月份可望逐漸開(kāi)始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合約價(jià)格出大多呈現(xiàn)持平,但記憶卡及U盤(UFD)通路市場(chǎng)的需求仍然相對(duì)疲軟,所以128Gb TLC合約均價(jià)格仍然下跌5%。此外,部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC,故32Gb MLC在市場(chǎng)供給減少下合約均價(jià)小漲約3%。
          • 關(guān)鍵字: ultrabook  NAND  

          三星開(kāi)始將部分閃存工廠轉(zhuǎn)換為邏輯產(chǎn)品生產(chǎn)線

          •   據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星電子(Samsung Electronics)為將供不應(yīng)求的應(yīng)用處理器產(chǎn)量做最大提升,9月起將會(huì)把原生產(chǎn)閃存(NAND Flash)的器興14產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)LSI產(chǎn)線。三星內(nèi)部人員表示,器興14產(chǎn)線原有的閃存生產(chǎn)設(shè)備,將會(huì)移至新建成的華城16產(chǎn)線,而器興14產(chǎn)線將轉(zhuǎn)生產(chǎn)系統(tǒng)LSI。由于近來(lái)行動(dòng)應(yīng)用處理器和CMOS傳感器(CIS)需求大增,為擴(kuò)大產(chǎn)量而決定進(jìn)行轉(zhuǎn)換。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  閃存  

          第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國(guó)三星電子。
          • 關(guān)鍵字: IHS iSuppli  NAND  

          第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)報(bào)告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場(chǎng)意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場(chǎng)降幅大于預(yù)期,主要是因?yàn)闁|芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國(guó)三星電子。東芝銷售額大幅下降,拖累了整體市場(chǎng),如表1所示。  
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          常憶科技推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品

          •   臺(tái)灣新竹,常憶科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一顆256Kbit序列閃存產(chǎn)品─PM25LD256C。   市場(chǎng)上既有的序列閃存廠商之技術(shù), 由于在小容量產(chǎn)品上已無(wú)法有效降低die size及成本, 因此序列閃存產(chǎn)品在業(yè)界之最小容量一般只做到512Kbit, 惟常憶科技以pFlash的專利設(shè)計(jì)才能有效降低512Kbit以下容量的Flash die size, 故決定推出該項(xiàng)業(yè)界獨(dú)有之產(chǎn)品。   
          • 關(guān)鍵字: 常憶科技  閃存  

          出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌

          •   受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾,2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期,及3Q11受過(guò)剩庫(kù)存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱,但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。  
          • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND  

          下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(zhǎng)或趨緩

          •   在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì)中,SanDisk公司的技術(shù)長(zhǎng)Yoram Cedar指出,下一代光刻技術(shù)的延遲,將導(dǎo)致NAND閃存的成長(zhǎng)趨緩。市場(chǎng)原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂(lè)觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,閃存的成長(zhǎng)可能需要再評(píng)估。  
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  NAND  

          Anobit推出高性能超低功耗閃存控制器MSP2025

          •   來(lái)自以色列的閃存廠商Anobit近日宣布推出新款高性能超低功耗嵌入式閃存控制器“MSP2025”,主要面向平板機(jī)、智能手機(jī)等便攜設(shè)備,數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)空前的666MB/s,成為迄今為止性能最高的嵌入式閃存控制器。
          • 關(guān)鍵字: 智能手機(jī)  閃存  

          東芝芯片業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)可能達(dá)不到預(yù)期

          •   全球第二大閃存制造商?hào)|芝公司(Toshiba Corp)周三警告說(shuō),由于PC市場(chǎng)不景氣,美國(guó)和歐洲等經(jīng)濟(jì)體持續(xù)動(dòng)蕩以及日元強(qiáng)勢(shì)等原因,該公司芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)可能達(dá)不到預(yù)期。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  芯片  NAND  

          SANDISK嵌入式固態(tài)硬盤采用全新SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)

          • 全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商SanDisk公司(NASDAQ:SNDK)今日宣布,在其郵票大小的嵌入式固態(tài)硬盤系列SanDisk iSSD產(chǎn)品線中采用全新的SATA μSSD標(biāo)準(zhǔn)。 一直致力于維護(hù)串行ATA (SATA) 技術(shù)的質(zhì)量和完整性以及推廣工作的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)組織SATA-IO也于今日發(fā)布了此項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)。
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  閃存  

          NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌

          •   據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo),計(jì)算機(jī)用DRAM芯片價(jià)格快速下跌,NAND Flash合約價(jià)也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)2011年來(lái)最低價(jià)2美元紀(jì)錄。下半年則因智能型手機(jī)(Smartphone)與平板計(jì)算機(jī) (Tablet PC)新品陸續(xù)問(wèn)世,可望帶動(dòng)NAND Flash價(jià)格回升。
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM芯片  

          存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)群雄割據(jù)時(shí)代將再度來(lái)臨

          •   隨著存儲(chǔ)器容量越來(lái)越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進(jìn)入20納米制程后,也開(kāi)始遇到瓶頸,業(yè)界在未來(lái)制作更大容量存儲(chǔ)器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手公司韓國(guó)三星電子(SamsungElectronics),但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)。
          • 關(guān)鍵字: 三星  存儲(chǔ)器  NAND  
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          nand 閃存介紹

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