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NAND Flash存儲(chǔ)器管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲(chǔ)器管理算法映射物理地址

應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),　　簡(jiǎn)介　　嵌入式微控制器越來(lái)越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫(xiě)的非易失性只讀存儲(chǔ)器)的閃存微控制器?！　￠W存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：
關(guān)鍵字：閃存技術(shù) 架構(gòu) 控制器應(yīng)用

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，它在掉電條件下仍然能夠長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤(pán)、SD卡、SSD硬盤(pán)等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
關(guān)鍵字：芯片設(shè)計(jì) 控制 flash SD NAND 用于

未來(lái)幾年NAND閃存將面臨過(guò)剩隱憂

　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。　　預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元?jiǎng)旁?8%，部分利益于智能手機(jī)和蘋(píng)果iPad等消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長(zhǎng)，2011年NAND閃存市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)，盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)明年NAND閃存市場(chǎng)上升25%至225億美元。　　
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2011年全球DRAM經(jīng)營(yíng)慘淡

　　2010年對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說(shuō)是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長(zhǎng)率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來(lái)新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長(zhǎng)5%，移動(dòng)通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的重要?jiǎng)幽?。預(yù)估2011年移動(dòng)通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動(dòng)通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。　　
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 管理 Flash NAND

NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級(jí)和頁(yè)級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
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DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

　　隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。　　
關(guān)鍵字： DRAM NAND

DRAM市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌

　　隨著DRAM和NANDFlash市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營(yíng)收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累，10月?tīng)I(yíng)收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月?tīng)I(yíng)收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示，預(yù)期11月?tīng)I(yíng)收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫(kù)存水位，將庫(kù)存維持在約3~4周水平。　　
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND

3C大廠合力推動(dòng)UFS實(shí)現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

　　集邦科技旗下研究機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)等國(guó)際大廠，近期正在積極推動(dòng)新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn) UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。　
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三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　2010年5月在三星會(huì)長(zhǎng)李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動(dòng)工。包含建筑物費(fèi)用等將階段性投入12兆韓元進(jìn)行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達(dá)20萬(wàn)片以上。　　三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進(jìn)行閃存生產(chǎn)
關(guān)鍵字：三星閃存

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開(kāi)始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　
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固態(tài)硬盤(pán)備受關(guān)注

　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報(bào)告指出，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)一直以來(lái)為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于 NAND Flash 的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤(pán)與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。　　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤(pán) NAND

固態(tài)硬盤(pán)備受NAND Flash廠商親賴(lài)

　　固態(tài)硬盤(pán)一直以來(lái)為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NAND Flash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。而從消費(fèi)者的論點(diǎn)來(lái)看，固態(tài)硬盤(pán)的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤(pán)的兩倍以上，同時(shí)也兼具了省電與抗震動(dòng)的特點(diǎn)，因此，DRAMeXchange認(rèn)為，在未來(lái)高畫(huà)質(zhì)影音與大容量檔案?jìng)鬏數(shù)男枨髮⒋蠓嵘?，?duì)于固態(tài)硬盤(pán)的需求若能在價(jià)格有效下降至可接受的范圍將會(huì)開(kāi)始提升。　　
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美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲(chǔ)存的混合光驅(qū)采用

　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎(jiǎng)的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲(chǔ)存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡(jiǎn)稱(chēng) HLDS) 采用作為其新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量?jī)?chǔ)存和可修改功能，是針對(duì)個(gè)人計(jì)算機(jī)、DVD 播放器和藍(lán)光產(chǎn)品的綜合解決方案。　　美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設(shè)備中8GB 儲(chǔ)存容量，滿足新應(yīng)用
關(guān)鍵字：美光 NAND