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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

          DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價(jià)上周再度下滑

          •   來自臺(tái)灣媒體的最新消息稱,市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲(chǔ)芯片市場周統(tǒng)計(jì)報(bào)告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價(jià)格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價(jià)格此次的變化對(duì)整個(gè)市場有一定的影響。   
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          全新Spansion閃存產(chǎn)品為嵌入式應(yīng)用提供突破性能

          •   Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經(jīng)擴(kuò)大業(yè)內(nèi)最快速的NOR閃存產(chǎn)品系列,從而為新一代汽車、消費(fèi)電子和游戲等應(yīng)用注入強(qiáng)勁創(chuàng)新力。Spansion GL-S系列針對(duì)快速數(shù)據(jù)訪問、提升互動(dòng)性和啟動(dòng)性能而開發(fā),使得電子設(shè)備在按鍵后幾乎能夠立即啟動(dòng),提供最快的交互用戶體驗(yàn)。這次擴(kuò)大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb,相比同類競爭NOR產(chǎn)品性能優(yōu)勢(shì)提升最高達(dá)45%。   Spansion GL-S系列產(chǎn)品是基于獲得高度成功的、針對(duì)交互游戲應(yīng)用的2Gb GL-S產(chǎn)品,該產(chǎn)品已于2
          • 關(guān)鍵字: Spansion  閃存  嵌入式應(yīng)用  

          DRAM合約價(jià)醞釀反彈

          •   DRAM合約價(jià)在2010年第4季跌幅高達(dá)50%,隨著現(xiàn)貨價(jià)在農(nóng)歷年前率先反彈,2011年2月DRAM合約價(jià)亦走向止跌,存儲(chǔ)器模塊廠表示,近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價(jià)都呈現(xiàn)止跌跡象,由于目前現(xiàn)貨價(jià)比合約價(jià)至少高出20%,使得DRAM廠在合約價(jià)談判上輕松許多;南亞科則預(yù)計(jì),2月 DRAM合約價(jià)漲幅目標(biāo)是至少5%?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          CSR采用TSMC先進(jìn)技術(shù)推出新一代無線產(chǎn)品

          •   無線連接、定位與音頻平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠商CSR與TSMC昨日共同發(fā)布擴(kuò)大雙方合作關(guān)系,CSR已采用TSMC先進(jìn)的90納米嵌入式閃存制程技術(shù)、硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)與射頻CMOS制程推出新一代的無線產(chǎn)品。   
          • 關(guān)鍵字: CSR  閃存  CSR8600  

          全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競賽3缺1

          •   存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降,除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外,市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)溃Aκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!  
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          閃存要成為硬盤的終結(jié)者

          •   根據(jù)摩爾定律,性價(jià)比更高的閃存將取代硬盤,飛快占領(lǐng)存儲(chǔ)市場。   有些嘎吱作響的東西很容易讓人聯(lián)想到文物,比如硬盤。   
          • 關(guān)鍵字: 閃迪公司  閃存  

          iPad將成今年NAND閃存成長動(dòng)力

          •   據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報(bào)告稱,隨著消費(fèi)者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動(dòng)NAND閃存芯片的應(yīng)用增長將近五倍。   iSuppli稱,用于制作移動(dòng)設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費(fèi)量預(yù)計(jì)將達(dá)到23億GB,比2010年消費(fèi)的4768億GB增長382.4%。iSuppli預(yù)計(jì)到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB。  
          • 關(guān)鍵字: iPad  NAND  

          采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護(hù)

          • 包裝信息可能包含:指定目標(biāo)設(shè)備、代碼版本、大小、日期和其它對(duì)用戶有用的信息。這個(gè)信息可警告操作員正在使用一個(gè)較低版本的固件,從而會(huì)使設(shè)備的部分性能降低,或者正在裝載一個(gè)不支持的指定設(shè)備。在如今競爭激烈
          • 關(guān)鍵字: 閃存  代碼  發(fā)布  代碼保護(hù)    

          三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產(chǎn)業(yè)成長率達(dá)58%

          •   2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及智能型手機(jī)(Smartphone)稱霸應(yīng)用端,傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺(tái),整體2010年NAND Flash市場營收成長達(dá)58.7%,為191.7億美元,其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王,美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix),但差距相當(dāng)少,雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。   2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再,取而代之的
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND   

          SanDisk聯(lián)手東芝進(jìn)軍10nm級(jí)別閃存工藝

          •   2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級(jí)別,2011年則將成為20nm級(jí)別普及的開端,同時(shí)10nm級(jí)別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。   SanDisk近日就表示:“2011年我們的首要營業(yè)費(fèi)用投資就是研發(fā),包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn),以及(10nm級(jí)別)和更先進(jìn)NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資?!?   
          • 關(guān)鍵字: SanDisk  10nm  閃存  

          2011年NAND閃存銷售額將進(jìn)一步增長

          •   據(jù)iSuppli公司,作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介,NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。   2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄,增長38%。預(yù)計(jì)今年銷售額將達(dá)到220億美元,比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大,預(yù)計(jì)2011年增長72%,達(dá)到193億GB。   盡管增長勢(shì)頭強(qiáng)勁,但2011年底市場形勢(shì)可能發(fā)生變化??紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫,而且供應(yīng)商可能過度投資擴(kuò)大生產(chǎn),風(fēng)險(xiǎn)可能在2011年底浮現(xiàn),屆時(shí)供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計(jì)201
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          2011年NAND閃存銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長

          •   據(jù)iSuppli公司,作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介,NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。   2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄,增長38%。預(yù)計(jì)今年銷售額將達(dá)到220億美元,比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大,預(yù)計(jì)2011年增長72%,達(dá)到193億GB。  
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

          英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

          •   英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職,更引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)者一陣嘩然,目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代,而相關(guān)模塊廠對(duì)此表示,雙方合作關(guān)系不會(huì)受影響。   
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

          美ITC裁定三星及其客戶未侵犯飛索閃存專利

          •   據(jù)國外媒體報(bào)道,美國國際貿(mào)易委員會(huì)(以下簡稱“ITC”)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四裁定,三星及其客戶沒有侵犯飛索半導(dǎo)體(以下簡稱“飛索”)的兩項(xiàng)芯片專利。   如果三星及其客戶侵犯了飛索的專利,蘋果、RIM等公司的多項(xiàng)產(chǎn)品將被禁止進(jìn)入美國市場。飛索曾經(jīng)是NOR閃存領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  閃存  

          平板計(jì)算機(jī)起飛帶動(dòng)NAND Flash需求

          •   集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示,在Android可望逐漸成熟,市場接受度提高,預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬臺(tái)大增至5000萬臺(tái)的規(guī)模,可說是平板計(jì)算機(jī)起飛年,將帶動(dòng)內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用,預(yù)估2011年平板計(jì)算機(jī)占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。   
          • 關(guān)鍵字: 平板計(jì)算機(jī)  NAND  
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          nand 閃存介紹

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