nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
市場供貨吃緊，NAND閃存合約價持續(xù)上揚(yáng)
- 研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導(dǎo)市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚(yáng)。 16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖 集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND Flash缺翻天 三星推品牌記憶卡與民爭食？
- 2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對立場的大客戶創(chuàng)見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對臺供貨
- 三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營團(tuán)隊(duì)上任，營運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。 存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高
- NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動SSD增長六倍
- 據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因?yàn)閮?nèi)存價格飛漲而受挫，但企業(yè)市場對彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動今年整體SSD 市場的營業(yè)收入將增長六倍。 第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價格跳漲，使其與硬盤驅(qū)動器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價值的90%。然而，對于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來說，SSD 仍然是一個具有吸引力的選擇。 由于企業(yè)
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
- 據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)能水平。 東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時間看來已經(jīng)會有所拖延。 另一方面，對手In
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分析稱2012年將普及USB3.0 速率可達(dá)到4.8G/s
- 賽迪網(wǎng)訊 9月20日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，調(diào)研公司In-Stat預(yù)計(jì)，到2010年70%的存儲設(shè)備將支持USB3.0標(biāo)準(zhǔn)。 早在2007年，USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)就已經(jīng)建立。USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)到4.8Gbps，是USB2.0的10倍，為傳輸大容量文件帶來了方便。 In-Stat稱，USB 3.0設(shè)備將于明年開始進(jìn)入市場，并將在未來幾年內(nèi)漸成主流。到2012年，預(yù)計(jì)70%的存儲設(shè)備將支持USB3.0，其中包括硬盤、閃存和便攜播放器等。
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NAND Flash缺貨潮11月前無解 大廠產(chǎn)能全被包下
- 蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計(jì)在2009年11月底之前，缺貨情況仍無解?，F(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋果包下來，另外存儲器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長期合作伙伴，顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。 存儲器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊
- 2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價，屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。 近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
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手機(jī)內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮
- 手機(jī)搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費(fèi)者對于利用手機(jī)下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來越高。 過去只流行數(shù)位相片的時代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用，但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無法滿足消費(fèi)者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。
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全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年
- 市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。 爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達(dá)到此輪衰退的最低點(diǎn)有關(guān)。 “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路
三星NAND Flash供貨臺廠銳減50%
- 近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠，9月對于臺廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠大老板緊急前往韓國調(diào)貨;無獨(dú)有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應(yīng)，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴(yán)重不足。存儲器業(yè)者透露，主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機(jī)大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費(fèi)性大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND iPhone iPod
存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價格平民化的趨勢，未來內(nèi)建高容量存儲器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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