nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口
- NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。 積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅(qū)動力——嵌入式移動應(yīng)用市場。 Harari在閃存峰會的主題演講中
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耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器
- 耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲器來代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續(xù)幾分鐘而無需刷新。 耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實驗樣品，該FeDRAM保存信息的時間比DRAM長1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點。 “我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
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英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片
- 英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個存儲單元2比特的技術(shù)，從而將實現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。 美光NAND閃存營銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲可靠性。固
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臺灣媒體：奇夢達(dá)資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜
- 曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時機!浪潮集團(tuán)將于8月中收購奇夢達(dá)西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團(tuán)接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。 德國內(nèi)存龍頭廠奇夢達(dá)確定遭到市場淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達(dá)在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
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日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇 廠家暑期加班應(yīng)對
- 據(jù)日本媒體報道，日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時間加班加點進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長等因素，市場需求得到恢復(fù)，庫存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉(zhuǎn)，也可能為日本國內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來一股活力。 在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計劃開工。 東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機等的&
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東芝大砍6成芯片支出 轉(zhuǎn)加強電力及基礎(chǔ)建設(shè)
- 8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長將減緩，并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù)，3年后其電力及基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)的獲利，將達(dá)電子產(chǎn)品部的2倍。 東芝的半導(dǎo)體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營業(yè)虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領(lǐng)域?qū)で蠊潭I收來源，例如健康醫(yī)療及水處理等。 東芝目前預(yù)期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結(jié)束的會計年度，獲利將達(dá)約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)獲利則可達(dá)2000億
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)既樂觀又擔(dān)憂的7個理由
- 盡管最近市場調(diào)研公司VLSI仍不修正半導(dǎo)體業(yè)陰沉的預(yù)測， 即09年全球設(shè)備市場下降44.2%及半導(dǎo)體市場下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂觀。 根據(jù)與Hutcheson的對話及公司的最新報告， 以下將結(jié)論刊出， 共有4個正面意見及2個負(fù)面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂觀或者擔(dān)心的原因。 1. 看到回升 7月的周報IC銷售額上升到33億美元， 打破了三周來IC銷售額的陰沉局面， 因為通常7月是典型的弱月份， 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
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東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價格上漲10%
- 據(jù)臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降，帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。 內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，過去記憶卡價格一直嚴(yán)重偏低，業(yè)界趁此機會調(diào)漲終端記憶卡售價，但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。 業(yè)內(nèi)人士表示，2009年初NAND Flash芯片價格持續(xù)上漲，記憶卡價格卻沒有跟上來，導(dǎo)致NAND Flas
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三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司
- 據(jù)國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。 申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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海力士41納米通過認(rèn)證 切入蘋果供應(yīng)鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得認(rèn)證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導(dǎo)致虧損
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NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價仍穩(wěn)住陣腳
- 7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價搶單的策略;市調(diào)機構(gòu)英鼎(inSpectrum)預(yù)估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會較第2季成長25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。 根據(jù)英鼎
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臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺塑集團(tuán)布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團(tuán)挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機構(gòu)評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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