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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
中國(guó)集成電路擴(kuò)建之后 降低成本是關(guān)鍵
- 或許是巧合!12月30日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目，同日舉行了開(kāi)工啟動(dòng)儀式。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的存儲(chǔ)器項(xiàng)目之一，瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉(zhuǎn)我國(guó)存儲(chǔ)器有市場(chǎng)無(wú)產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級(jí)改造，將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國(guó)擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺(tái)，追趕國(guó)際先進(jìn)水平。 隨著《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國(guó)IC業(yè)
- 關(guān)鍵字： 集成電路 NAND
紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體廠武漢動(dòng)工 總投資超240億美元
- 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過(guò)240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)：“我們?cè)谖錆h投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動(dòng)工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì)在那里投資一個(gè)，也是一個(gè)超過(guò)兩百億美金芯片的工廠” 2016年12月，紫光集團(tuán)趙偉國(guó)，布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計(jì)算中心。 12月30日，紫光宣布動(dòng)工，興建三座全球最大3
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大陸韓國(guó)擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽 Flash后年產(chǎn)能恐過(guò)剩
- 儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)(NANDFlash)軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過(guò)于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲(chǔ)廠，在中國(guó)大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數(shù)。 稍早三星和美光也都
- 關(guān)鍵字： Flash 晶圓
2017年NAND產(chǎn)能成長(zhǎng)有限、價(jià)格走揚(yáng)
- 2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。 TrendForce記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)最新研究報(bào)告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前，也將持續(xù)缺貨，價(jià)格有望穩(wěn)健走揚(yáng)，使NAND Flash原廠營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)持續(xù)往上。 DRAMeXch
- 關(guān)鍵字： NAND TrendForce
為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過(guò)2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
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美光：3D NAND產(chǎn)能總?cè)萘恳迅哂?D 二代3D NAND將進(jìn)入大批量產(chǎn)
- 美國(guó)記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財(cái)務(wù)長(zhǎng)Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時(shí)表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要?dú)v程碑。 科技網(wǎng)站AnandTech報(bào)導(dǎo)，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數(shù)量仍高于3D，但就記憶體總?cè)萘慷裕?D NAND產(chǎn)能的總?cè)萘恳迅哂?D產(chǎn)品。 據(jù)悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術(shù)。 2D NAND生產(chǎn)依賴于光刻(lithography)技術(shù)，3D NA
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
東芝副社長(zhǎng)：“3D NAND將挑戰(zhàn)200層單元積層”
- “三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲(chǔ)單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長(zhǎng)兼存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司社長(zhǎng)成毛康雄在2016年12月14日開(kāi)幕的半導(dǎo)體相關(guān)展會(huì)“SEMICON Japan 2016”(東京有明國(guó)際會(huì)展中心)的“半導(dǎo)體高端論壇”上登臺(tái)發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。 成毛以對(duì)比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應(yīng)的3D NAND“BiCS FL
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
美光第二代3D NAND年底大規(guī)模量產(chǎn)
- 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。 對(duì)于3D NAND閃存，我們并不陌生，現(xiàn)在市場(chǎng)上很多SSD都轉(zhuǎn)向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫(xiě)入壽命，3D NAND閃存都要比傳統(tǒng)2
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
?NAND缺口達(dá)顛峰 推升SSD價(jià)漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強(qiáng)勁的智慧型手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長(zhǎng)，第四季NAND Flash缺貨情況達(dá)今年最高峰，各產(chǎn)品別價(jià)格續(xù)創(chuàng)年度新高，預(yù)估缺貨態(tài)勢(shì)將持續(xù)至2017年第1季，屆時(shí)企業(yè)級(jí)與用戶級(jí)SSD合約價(jià)漲幅將超過(guò)10%，行動(dòng)式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價(jià)格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價(jià)格創(chuàng)下年度新高、eMMC/UFS合約價(jià)季漲幅9～13%，企業(yè)級(jí)與用戶級(jí)SSD合約價(jià)也上漲5～10%。 DRAM
- 關(guān)鍵字： ?NAND SSD
不甘心三星拿下NAND市場(chǎng)最大份額 Intel推出市場(chǎng)最低價(jià)產(chǎn)品
- 三星在手機(jī)市場(chǎng)遭遇一定挫折，不過(guò)由于全球手機(jī)的出貨量成長(zhǎng)以及對(duì)更大容量的內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求卻讓它在NAND Flash市場(chǎng)成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營(yíng)收同比增長(zhǎng)20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。 目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲(chǔ)器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠(yuǎn)比工藝更高2D NAND技術(shù)數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲(chǔ)器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
- 關(guān)鍵字： Intel NAND
三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開(kāi)倒車(chē)、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開(kāi)
- 三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢(shì)，NAND快閃存儲(chǔ)器市占率逐季甩開(kāi)東芝等競(jìng)爭(zhēng)者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收來(lái)到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)) 同期間，東芝NAND存儲(chǔ)器營(yíng)收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴(kuò)大至16.8%，此為歷史新高水平。 剛完成并購(gòu)SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來(lái)?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！ ?nbsp; 1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫(xiě) 例如，在有對(duì)Flash寫(xiě)入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫(xiě)入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對(duì)以上情況，可以在程序中設(shè)置多個(gè)允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫(xiě)入或擦除操作時(shí)，對(duì)
- 關(guān)鍵字： Flash 芯片
[ARM筆記](méi)驅(qū)動(dòng)對(duì)設(shè)備的識(shí)別過(guò)程及實(shí)例——NAND Flash
- 驅(qū)動(dòng)程序識(shí)別設(shè)備時(shí)，有以下兩種方法： (1)驅(qū)動(dòng)程序本身帶有設(shè)備信息，比如開(kāi)始地址、中斷號(hào)等;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，就可以根據(jù)這些信息來(lái)識(shí)別設(shè)備?！ ?2)驅(qū)動(dòng)程序本身沒(méi)有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設(shè)備的信息;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，將驅(qū)動(dòng)程序與這些設(shè)備逐個(gè)比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動(dòng)程序與某個(gè)設(shè)備匹配，就可以通過(guò)該驅(qū)動(dòng)程序來(lái)操作這個(gè)設(shè)備了?！ ?nèi)核常使用第二種方法來(lái)識(shí)別設(shè)備，這可以將各種設(shè)備集中在一個(gè)文件中管理，當(dāng)開(kāi)發(fā)板的配置改變時(shí)，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
- 關(guān)鍵字： NAND 驅(qū)動(dòng)
NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季各?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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