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機構(gòu):DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
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乘上存儲芯片漲價潮 美光Q2業(yè)績超預期
- 北京時間3月24日上午消息，由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導致存儲芯片價格上升，美光科技預計當前季度的營收和利潤遠超分析師預期。該公司第二財季利潤也超出分析師預期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。 由于各大企業(yè)都在爭相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應(yīng)瓶頸，但與此同時，智能手機、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲需求卻在飆升，導致全球存儲芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級周期”。 美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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長江存儲3D閃存各項指標已達預期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，隨后
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手機廠家紛紛漲價全是因為它
- 3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進行價格調(diào)整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價措施……手機廠家紛紛執(zhí)行漲價措施，往常都想用低價策略吸引用戶的廠家們這次都是因為什么呢? 有沒有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場上的閃存類產(chǎn)品價格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內(nèi)存、硬盤類產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價的手機是否有什么關(guān)系呢? 關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產(chǎn)減少，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況，導致其價格上漲，最終
- 關(guān)鍵字： Nand 內(nèi)存
打破市場壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，
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三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位 估供應(yīng)吃緊整年
- 市調(diào)機構(gòu)集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績可望逐季攀高。 集邦科技調(diào)查，隨著NAND Flash缺貨達到高峰，產(chǎn)品平均售價走揚，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達120.45億美元，季增達17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。 集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%，居第3大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
各大廠搶進3D NAND致存儲器價格大漲
- 據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。 不過，隨著3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數(shù)。 2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進入15納米，美光導
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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