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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nand flash

          用DNW通過(guò)USB燒uboot到nand

          • 燒寫前提:已經(jīng)把FS2410開(kāi)發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過(guò)JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動(dòng)才可以使用US...
          • 關(guān)鍵字: DNW  USB  uboot  nand  

          基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

          • 本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實(shí)現(xiàn)方案,該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制,能夠非常方便地完成Fl ...
          • 關(guān)鍵字: FPGA  SPI  Flash  控制器  

          從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例(二)

          • 啟動(dòng)匯編代碼  ;*********************************************************************  ; 匯編 ...
          • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

          從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例(一)

          • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行 ...
          • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

          基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及管理方法研究與實(shí)現(xiàn)

          • 摘要:本文設(shè)計(jì)了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)的方法,它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個(gè)數(shù)據(jù)分區(qū),不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)在不同歷史時(shí)間的拷貝,最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲(chǔ)最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進(jìn)行時(shí),計(jì)算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲(chǔ)位置,直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫操作進(jìn)行時(shí)
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  MCU  Flash  數(shù)據(jù)存儲(chǔ)  EEPROM  201310  

          狼、羊、草過(guò)河與嵌入式固件更新

          • 狼、羊、草過(guò)河問(wèn)題(也有叫狼、羊、白菜過(guò)河之類的名字)是說(shuō):有一人帶著一只部分馴化的狼(強(qiáng)調(diào)部分馴化是說(shuō)明,人在場(chǎng)的情況下狼不會(huì)吃羊,不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來(lái)到河的左岸,欲乘一只很小的船過(guò)到河的右岸,每次人只能帶其中一個(gè)過(guò)河,當(dāng)有人在時(shí),狼、羊、草都不會(huì)有事;當(dāng)無(wú)人在時(shí),就不允許狼羊在一起,也不允許羊和草在一起,問(wèn)應(yīng)如何過(guò)河?
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式  Flash  RAM  緩沖區(qū)  

          采取多元化戰(zhàn)略,加強(qiáng)在華合作

          • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措:一,完成對(duì)富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購(gòu);二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議??梢?jiàn),Spansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司,并且加深與中國(guó)代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對(duì)華戰(zhàn)略如何?
          • 關(guān)鍵字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

          三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

          •   三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

          •   不讓韓國(guó)三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。   這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后,東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定,因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。   研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          單片機(jī)(MCU)選型的七條軍規(guī)

          • 單片機(jī)的選型是一件重要而費(fèi)心的事,如果選型得當(dāng),則做出來(lái)的產(chǎn)品就會(huì)性價(jià)比較高,且工作穩(wěn)定;反之,則可能會(huì)造成產(chǎn)品成本過(guò)高或影響產(chǎn)品正常運(yùn)行,甚至可能根本就達(dá)不到預(yù)先設(shè)計(jì)要求。
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  MCU  內(nèi)存  FLASH  編譯器  

          NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

          • 據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告,今年第一季度中國(guó)低端智能手機(jī)的需求大增,讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及,刺激了NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
          • 關(guān)鍵字: IHS  NAND  

          第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級(jí)本與PC平板領(lǐng)域

          • 據(jù)IHS公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告,超薄/超級(jí)本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
          • 關(guān)鍵字: IHS  SSD  NAND  HDD  

          芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,芯片廠商尚未打破增長(zhǎng)-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會(huì)SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是,盡管對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(zhǎng)的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì))預(yù)計(jì),2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測(cè),2014年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將猛增21%。   當(dāng)然,SEMI以往曾對(duì)芯片制造設(shè)備營(yíng)收作出過(guò)高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將增長(zhǎng)約1
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

          2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會(huì)變好

          •   根據(jù)國(guó)外媒體的報(bào)道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收會(huì)增長(zhǎng)10%。   這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI,這表明此前他們對(duì)2013年的樂(lè)觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開(kāi)始,以NAND閃存為首的芯片廠商對(duì)芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開(kāi)始萎縮。目前只有Intel、三星、臺(tái)積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。   不過(guò)SEMI依然對(duì)2014年的發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

          中國(guó)廠商成全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)新引擎

          •   導(dǎo)語(yǔ):路透社今天撰文指出,近年來(lái)高端手機(jī)市場(chǎng)的需求趨于飽和,曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長(zhǎng)也開(kāi)始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國(guó)移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起,以及中國(guó)移動(dòng)市場(chǎng)的火爆,中國(guó)力量正成為全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動(dòng)   隨著中國(guó)低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增,以及華為等中國(guó)移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲(chǔ)芯片廠商有望從這種趨勢(shì)中獲得重要回報(bào)。中國(guó)目前已取代美國(guó),成為全球第一大智能手機(jī)市場(chǎng)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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