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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

          Marvell推出最新一代SATA SSD控制器,憑借開創(chuàng)性LDPC技術支持TLC NAND閃存

          •   全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)今日宣布,推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術,使消費類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本,功耗更低,并提供無與倫比的性能?! arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
          • 關鍵字: Marvell  控制器  NAND  

          半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

          •   科研投資   日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說:2012年日本國內半導體產(chǎn)值約5萬億日元,占GDP的5%,但它對應用半導體的服務業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計算,半導體產(chǎn)生的經(jīng)濟效益約為100萬億日元 ,兩者之比達到1:20,如此給力,誰不動心?!但是,半導體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè),沒有國家的大力支持,沒有生產(chǎn)設備和科研經(jīng)費的巨大投入,那是美夢難圓的。   半導體設備投資也是引導世界經(jīng)濟增長的要素之一,它每年投資計劃的發(fā)表還常關聯(lián)到生產(chǎn)設備、材料公司的股
          • 關鍵字: 半導體  NAND  IC  201405  

          競逐eMMC商機 Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

          • 2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長,2014年,平板電腦應用需求亦值得期待,尤其在中國大陸銷售的平板電腦中,有90%尚未采用eMMC,這可能進一步擴大eMMC市場規(guī)模,引來業(yè)內廠商混戰(zhàn)一片......
          • 關鍵字: Flash  控制芯片  

          半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

          •   智慧之石  作為電子工業(yè)發(fā)展基礎的電子器件,已經(jīng)歷了三個巨大變革時代:1.?電子管時代――1905~1947(42年);2.?晶體管時代――1947~1958(11年);3.?集成電路時代――1958~…(到2014年已有56年)?! ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時代的序幕,為當時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時間里,推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
          • 關鍵字: NAND  DRAM  PC  201404  

          FPGA中Flash驅動模塊的設計及驗證

          •   隨著FPGA的功能日益強大和完善,F(xiàn)PGA在項目中的應用也越來越廣泛,其技術關鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅動模塊的設計,其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過實際的讀寫操作驗證
          • 關鍵字: Flash  驅動  FPGA  

          基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用

          •   靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時鐘信號,即可保持數(shù)據(jù)不丟失。  1、VDMS16M32芯片介紹  VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
          • 關鍵字: SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

          2013年第四季NAND品牌供應商營收下滑4.5%

          •   全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產(chǎn)能調配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。   2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
          • 關鍵字: NAND  DRAM  

          基于FPGA的SPI Flash控制器的設計方案

          • 本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案,該方案利用硬件對SPI Flash進行控制,能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預充電等操作,同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復用,作為SOC芯片的功能模塊。
          • 關鍵字: FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

          基于FPGA的速率自適應圖像抽取算法

          • 載荷圖像可視化是深空探測任務中的重要需求,但受信道帶寬的限制,無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù),因此星載復接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務可視化的關鍵。
          • 關鍵字: 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

          基于SPI FLASH的FPGA多重配置

          • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結構的設計,同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎,從硬件電路和軟件設計兩個方面對多重配置進行分析,給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟,對實現(xiàn)復雜硬件設計工程有一定的參考價值。
          • 關鍵字: FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

          布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

          •   存儲器大廠美光擴大委外封裝合作,東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局,今年存儲器封測競爭卡位,勢必激烈。   展望今年,國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程,包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外,封測臺廠考量自身發(fā)展,積極與國際大廠洽商合作。   美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida),提高美光全球DRAM市占率約1倍。   為進一步集成DRAM封測業(yè)務,去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
          • 關鍵字: 存儲器  NAND  

          提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

          • 在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒有集 ...
          • 關鍵字: MSP430G  單片機  Flash  擦寫壽命    

          武漢新芯:定位存儲器制造,兩年后或推3D NAND

          • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨立經(jīng)營,是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
          • 關鍵字: XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

          單片機高手是怎樣煉成的

          • 近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫:“我想學單片機”,“我要學單片機”,“如何入門啊?”,“你們怎么這么厲害,是怎樣學的??”等等等等一系列的問題,實在是看多了也感到煩了,今天,就由我電子白菜厚著面皮,頂著無數(shù)老蝦的磚頭,在這里寫上一篇單片機學習心得,讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
          • 關鍵字: 單片機  LED  LCD  FLASH  USB  

          ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

          • 在本章開始之前,我們先來看下ARM11S3C6410內部結構:
          • 關鍵字: ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]

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