nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
IHS：2012年Q4全球NAND營收大幅成長17%
- 根據(jù)市場研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報告，全球 NAND 快閃記憶體市場在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營收成長──大幅上揚17%，達到了56.34億美元的營收，結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營收平均下滑6%的記錄。 2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達到了202.11億美元。其中，三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應(yīng)商，兩家公司總共就占掉 NAND 市場三分之二的市占率。此外，美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應(yīng)商。 三星在2012年第四季的
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
NAND閃存去年第四季度意外增長
- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個第四季度的下滑局面。 2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元勁增17%。從兩個方面來看，這種環(huán)比增長具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。 三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元，
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
2013半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)溫和增長
- 2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預(yù)計2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入增長6.4%，達到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后，預(yù)計今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將溫和增長，智能終端、電視與計算等關(guān)鍵消費電子產(chǎn)品成為推動芯片營業(yè)收入與需求增長的主要動力。 智能終端 2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入的下降，緣于消費者在電子產(chǎn)品上面的支出不振，尤其是電腦采購將近占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產(chǎn)品的采購量低迷。令
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"
- 全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國經(jīng)濟成長逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。 雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長，但依然不足以抵銷市場分析員對國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。 考慮到在全球經(jīng)濟不明朗，對電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下，市場分析員依然謹(jǐn)慎看待我國今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何，在預(yù)計下半年經(jīng)濟大環(huán)境獲得改善的情況下，國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢上演反
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體設(shè)備 NAND
分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。 具體可參見下表。 ? “閃 存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
車窗控制系統(tǒng)的LIN2.1協(xié)議應(yīng)用
- 引言LIN協(xié)會于1999年發(fā)布了第一版LIN協(xié)議，至今已有十幾年了，在這十幾年中，LIN總線不斷發(fā)展，已經(jīng)在以車身控制為...
- 關(guān)鍵字： LIN2.1協(xié)議 定時器 Flash
嵌入式系統(tǒng)中Flash存儲管理策略
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲管理策略 嵌入式系統(tǒng)
半導(dǎo)體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工
- 日本媒體報導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
- 關(guān)鍵字： Toshiba FlashMemory NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473