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iSuppli：存儲芯片市場恢復盈利還為時過早
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
- 關鍵字： NAND 存儲芯片
內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復蘇的報告過于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
- 關鍵字： iSuppli NAND DRAM
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器MCU
- 瑞薩科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動化）設備、樓宇自動化（空調(diào)和電力監(jiān)控設備）和各種通信設備等工業(yè)應用實現(xiàn)了200 MHz操作和大量內(nèi)置式外設及通信功能。SH7216系列包含12個產(chǎn)品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。 這些產(chǎn)品的主要特性如下： (1) 達到
- 關鍵字： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH
集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產(chǎn)能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時制程持續(xù)轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示，市場占有率第三和第
- 關鍵字： 海力士 NAND 晶圓
三維NAND內(nèi)存技術將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 這并非危言聳聽，過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了，而且那樣做也很方便?，F(xiàn)在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
- 關鍵字： IBM NAND 固態(tài)存儲
Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應用
- 1． E5的特點及體系結構
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU，它是基于8051的內(nèi)核，但將微處理器的內(nèi)核，ASCI及可重構邏輯陣列集成與一體，構成一款CSOC（可配置系統(tǒng)）芯片。Triscend E5的主要特點 - 關鍵字： E5 應用 存儲器 數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存 映射
DRAMeXchange：2009年NAND flash產(chǎn)能預計將減小59%
- 據(jù)EE Times網(wǎng)站報道，市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示，全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后，2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%，而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復且供應商控制其產(chǎn)出增長，那供應過剩的局面可能得到改善，NAN
- 關鍵字： DRAMeXchange flash
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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