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          三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%

          •    市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化,2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬(wàn)美元,2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元,年?duì)I收下跌14.6%,2008年平均銷售價(jià)格較2007年下跌63%。   Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬(wàn)美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          Adobe與蘋(píng)果聯(lián)手開(kāi)發(fā)iPhone版Flash軟件

          •   日前,Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)在出席達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇時(shí)表示,將與蘋(píng)果合作研發(fā)iPhone手機(jī)的Flash軟件。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,納拉延認(rèn)為與蘋(píng)果的合作是一項(xiàng)高難度的技術(shù)挑戰(zhàn),這需要雙方的協(xié)作。納拉延對(duì)目前雙方所取得的工作進(jìn)展表示非常滿意。   去年3月份,蘋(píng)果創(chuàng)始人史蒂夫·喬布斯(Steve Jobs)曾表示,因?yàn)殡娔X版Flash軟件占用資源過(guò)大,iPhone的處理器和內(nèi)存無(wú)法適應(yīng)。而
          • 關(guān)鍵字: Adobe  iPhone  Flash  

          嵌入式操作系統(tǒng)自更新機(jī)制的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

          2008年存儲(chǔ)市場(chǎng)忽上忽下,令人難忘

          •   2008年對(duì)于全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要階段,發(fā)生了幾件改變市場(chǎng)的大事: ? 一種高清DVD格式落敗,而另一種格式則成為產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 ? 固態(tài)存儲(chǔ)作為硬盤(pán)的替代品,地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟(jì)滑坡破壞了整體科技產(chǎn)業(yè)的前景 HD-DVD之死   一年以前,緊接著2008年1月的國(guó)際消費(fèi)電子展會(huì)(CES),華納兄弟作出了令業(yè)內(nèi)震驚的聲明,表示將放棄原來(lái)以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內(nèi)容的計(jì)劃,轉(zhuǎn)而完全采用藍(lán)光標(biāo)準(zhǔn)。   HD DVD陣營(yíng)為此遭到當(dāng)頭一棒,領(lǐng)頭者東芝也不再支持該格
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          基于JTAG的DSP外部FLASH在線編程與引導(dǎo)技術(shù)

          • 在以DSP為核心的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中,通常將可執(zhí)行代碼存放在非易失性存儲(chǔ)器,在系統(tǒng)加電或復(fù)位時(shí)通過(guò)DSP的引導(dǎo)...
          • 關(guān)鍵字: JTAG  FLASH  在線編程  引導(dǎo)  

          解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

          系統(tǒng)斷電時(shí)FPGA數(shù)據(jù)保護(hù)方法

          • 從消費(fèi)電子設(shè)備到工業(yè)控制設(shè)備,越來(lái)越多的系統(tǒng)都在使用FPGA。這些應(yīng)用通常需要設(shè)備在斷電時(shí)存儲(chǔ)一些數(shù)據(jù),比如...
          • 關(guān)鍵字: 斷電  存儲(chǔ)  FPGA  RAM  TAG  FLASH  

          受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)

          •   12月25日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐,終止先前下跌趨勢(shì),至少都以平盤(pán)以上開(kāi)出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng),將有助創(chuàng)見(jiàn)、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫(kù)存跌價(jià)損失壓力。   業(yè)者指出,這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn),主要是反應(yīng)日本東芝與韓國(guó)海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對(duì)力保價(jià)格不跌有了堅(jiān)定共識(shí),也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢(shì)已逐步確立。   根據(jù)集邦科技昨日最新報(bào)價(jià),NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤(pán)以上開(kāi)出,其中以16Gb主流規(guī)格
          • 關(guān)鍵字: NAND  

          東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量

          •   東芝宣布,削減30%的閃存芯片產(chǎn)量,以應(yīng)對(duì)需求降低,庫(kù)存增加的考驗(yàn)。   東芝還說(shuō),位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天,以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。   東芝在一份聲明中說(shuō):“全球經(jīng)濟(jì)不景氣以及消費(fèi)低迷正在對(duì)半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴(yán)重沖擊。尤其是NAND閃存芯片,由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過(guò)剩,其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形,決   定降低四日市工廠的產(chǎn)量。”   東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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          半導(dǎo)體巨頭推動(dòng)工藝研發(fā) 三個(gè)陣營(yíng)角力

          •   國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心國(guó)際技術(shù)經(jīng)濟(jì)所研究員吳康迪   遵循“摩爾定律”的指引,全球半導(dǎo)體巨頭正邁向32納米工藝;不過(guò),其研發(fā)策略卻各不相同。   全球32納米芯片微細(xì)技術(shù)開(kāi)發(fā)主要有3個(gè)陣營(yíng),參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營(yíng),其次是英特爾公司,第三是日本公司,此外還有中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)積電、歐洲比利時(shí)微電子中心IMEC等。   英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先   2007年9月,英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開(kāi)發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測(cè)試
          • 關(guān)鍵字: 32納米  英特爾  NAND  

          東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%

          •   北京時(shí)間12月16日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日本東芝與美國(guó)SanDisk公司周二表示,因全球經(jīng)濟(jì)下滑,打擊數(shù)碼相機(jī)和便攜式音樂(lè)播放器的芯片需求,1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。   需求重挫加上產(chǎn)能過(guò)剩,造成半導(dǎo)體價(jià)格直落,令東芝芯片業(yè)務(wù)上半會(huì)計(jì)年度出現(xiàn)虧損。   首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認(rèn)為:“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項(xiàng)利好消息,但因?yàn)檎w市場(chǎng)需求疲弱,單單如此還不足以提振NAND的價(jià)格。在出現(xiàn)復(fù)蘇前得先清出庫(kù)存,而這要有需求才能帶動(dòng)。&r
          • 關(guān)鍵字: NAND  

          東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%

          •   北京時(shí)間12月16日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日本東芝與美國(guó)SanDisk公司周二表示,因全球經(jīng)濟(jì)下滑,打擊數(shù)碼相機(jī)和便攜式音樂(lè)播放器的芯片需求,1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。   需求重挫加上產(chǎn)能過(guò)剩,造成半導(dǎo)體價(jià)格直落,令東芝芯片業(yè)務(wù)上半會(huì)計(jì)年度出現(xiàn)虧損。   首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認(rèn)為:“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項(xiàng)利好消息,但因?yàn)檎w市場(chǎng)需求疲弱,單單如此還不足以提振NAND的價(jià)格。在出現(xiàn)復(fù)蘇前得先清出庫(kù)存,而這要有需求才能帶動(dòng)。&r
          • 關(guān)鍵字: NAND  東芝  SanDis  

          08年芯片商10強(qiáng)公布 英特爾17年第一

          •   12月15日消息,市場(chǎng)研究公司Gartner發(fā)布了它預(yù)測(cè)的2008年10大芯片廠商排行榜。英特爾將連續(xù)第17年排名第一位。   英特爾2008年的芯片市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將提高到13.1%。高通是10大芯片廠商中增長(zhǎng)速度最快的廠商,因?yàn)楦咄?008年的芯片銷售收入增長(zhǎng)了15%。   海力士半導(dǎo)體將是10大芯片廠商中銷售收入下降最多的廠商,因?yàn)楹Aκ堪雽?dǎo)體2008年的芯片銷售收入下降了29.7%。海力士半導(dǎo)體是受NAND閃存和DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格下跌影響最嚴(yán)重的公司之一。由于供過(guò)于求,這兩種芯片的價(jià)格在20
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

          新型MCU實(shí)現(xiàn)帶DRM的單芯片數(shù)字音頻解碼器

          •   近幾年,數(shù)字音頻市場(chǎng)發(fā)展非常迅速。獨(dú)立式音頻與多媒體播放器近幾年已成為數(shù)字音頻市場(chǎng)的主流。數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的消費(fèi)者都在想辦法將其便攜式播放器與家用音響和車(chē)載立體聲音響進(jìn)行最佳連接。這激勵(lì)著目前的家用和車(chē)載音頻設(shè)備廠商為迎接數(shù)字時(shí)代的到來(lái)而開(kāi)始準(zhǔn)備他們的HiFi系統(tǒng)。為了滿足人們對(duì)播放器不斷提高的要求,市場(chǎng)上也出現(xiàn)了大量芯片或芯片組。但這些進(jìn)入數(shù)字音頻市場(chǎng)的芯片往往有很多缺陷,問(wèn)題就出在合適處理硬件的選擇方面。   傳統(tǒng)解決方案   有些廠商試圖將計(jì)算機(jī)的一些組件用于音頻或多媒體播放器。盡管這些組件在一臺(tái)
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)字音頻  ASIC  NAND  

          全球芯片廠商集體削減開(kāi)支 應(yīng)對(duì)經(jīng)濟(jì)下滑

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球經(jīng)濟(jì)放緩以及信貸危機(jī)蔓延導(dǎo)致芯片需求降低,同時(shí)也對(duì)芯片制造廠商的運(yùn)營(yíng)產(chǎn)生了影響。因此,各大芯片制造商都紛紛關(guān)閉產(chǎn)量較少的工廠、延緩?fù)顿Y項(xiàng)目,有的甚至展開(kāi)裁員以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的不景氣。   接下來(lái)的幾個(gè)月對(duì)于亞洲、歐洲和美國(guó)的幾家存儲(chǔ)芯片制造商而言將會(huì)至關(guān)重要。因?yàn)樗麄冃枰媾R不斷萎縮的芯片需求以及芯片價(jià)格的不斷下滑,有些存儲(chǔ)芯片的售價(jià)甚至已經(jīng)低于廠商的生產(chǎn)成本。   全球經(jīng)濟(jì)的萎靡不振已經(jīng)使得幾家大型DRAM芯片和NAND閃存芯片制造商出現(xiàn)了虧損,同時(shí)使得其償債能力和新技
          • 關(guān)鍵字: 芯片制造  DRAM  NAND  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫(xiě)速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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