nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI
- TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI,該產(chǎn)品計(jì)劃于九月份開始銷售。 GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC,與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級(jí)單元 (SLC) 和多級(jí)單元(MLC) NAND 閃存,實(shí)現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)(SLC) 和256M字節(jié)到32G字節(jié)(MLC)的高速閃存存儲(chǔ)容量,因而該控制器適用的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。此外,該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
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Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術(shù)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,近日,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示,已與意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項(xiàng)為期五年的協(xié)議,拓展其在快速增長的NAND閃存領(lǐng)域的共同開發(fā)項(xiàng)目。 據(jù)國外媒體報(bào)道,根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,兩家公司將合作擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線,推出新產(chǎn)品和實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,從而應(yīng)對(duì)未來五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。 根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術(shù)項(xiàng)目,聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品,并進(jìn)行資源整合以促
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微控制器發(fā)展、過去和將來
- 對(duì)于選擇微控制器進(jìn)行設(shè)計(jì)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)師來說,可獲得的大量的不同型號(hào)的MCU會(huì)讓選型工作變得復(fù)雜。SiliconLabs已經(jīng)發(fā)布了工作電壓低至0.9V的一款8位MCU,德州儀器有許多款針對(duì)16位MSP430的低功耗應(yīng)用,英飛凌和飛思卡爾有針對(duì)汽車應(yīng)用的多款MCU方案,而Atmel的AVR單片機(jī)和Microchip的PIC系列單片機(jī)一直在推陳出新,新的32位ARM核Cortex-M3處理器已經(jīng)發(fā)布,古老的8位8051核還是在不同微控制器中占領(lǐng)主流地位,而市場(chǎng)老大瑞薩可以針對(duì)多種應(yīng)用領(lǐng)域提供方案。
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單片機(jī)的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí),由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源,又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此,引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度,是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中,外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器,而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此,本文介紹了T
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恒憶與海力士擴(kuò)大合作 共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品
- 恒憶(Numonyx)今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議,在飛速增長的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃。針對(duì)NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn),兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品,進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。 根據(jù)新協(xié)議,恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開發(fā)的范圍,共同提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)器技術(shù)和產(chǎn)品,并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域,雙方也將進(jìn)行合作。 恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示:"未來五年,在
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微控制器的市場(chǎng)前景及發(fā)展趨勢(shì)
- 微控制器廣泛應(yīng)用于各種小型電器,隨著技術(shù)的發(fā)展,其不但價(jià)格低廉,而且功能越來越強(qiáng)大。由于家用電器、手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車用電子等領(lǐng)域的市場(chǎng)推動(dòng),微控制器的使用量越來越大而且表現(xiàn)出了更新?lián)Q代的趨勢(shì)。預(yù)計(jì)在未來的市場(chǎng)中,低階應(yīng)用將會(huì)以8位微控制器為主,而高階應(yīng)用將會(huì)由32位微控制器稱霸。當(dāng)然,也有可能沖出一個(gè)比32位微控制器更強(qiáng)大的產(chǎn)品,如果能夠控制成本,則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運(yùn)。不過就目前的情形來看,32位微控制器將在市場(chǎng)中活躍一陣子。其市場(chǎng)占有率將會(huì)逐漸上升,到2010年
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P89C51RD2的可定制人機(jī)交互界面設(shè)計(jì)
- 引 言 隨著社會(huì)需要和科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,產(chǎn)品的競爭愈來愈激烈,更新的周期愈來愈短,因而要求設(shè)計(jì)者能很快地設(shè)計(jì)出新產(chǎn)品;而在產(chǎn)品的整體設(shè)計(jì)中,人機(jī)交互界面的設(shè)計(jì)往往占據(jù)著很大一部分工作,這樣,不但極大地增加了產(chǎn)品的開發(fā)成本而且延長了產(chǎn)品的上市周期。本文論述的基于P89C51RD2的人機(jī)交互界面是一種界面可定制、結(jié)構(gòu)緊湊、價(jià)格低廉、簡單易用、性能優(yōu)良的通用型人機(jī)交互界面,能很好地解決上述問題。 1 系統(tǒng)工作原理 1.1 工作原理 按照實(shí)際應(yīng)用中控制系統(tǒng)的需要及控制系統(tǒng)與人機(jī)交互界面的
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蘋果大量訂購NAND芯片:三星預(yù)警缺貨
- 據(jù)我國臺(tái)灣省的一家媒體報(bào)道稱,三星對(duì)其客戶發(fā)出預(yù)警,因蘋果大量訂購NAND閃存芯片,預(yù)計(jì)這類芯片將在一段時(shí)間內(nèi)缺貨。 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周三,《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道稱,三星在對(duì)其客戶發(fā)出的預(yù)警中表示,蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片,計(jì)劃用于3G版iPhone上;想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時(shí)間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應(yīng)商之一,兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。 蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總?cè)萘肯喈?dāng)于5000萬GB(8Gb
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Flash外部配置器件在SOPC中的應(yīng)用
- 1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面:一方面,可用Flash來保存FPGA的配置文件,從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后,從Flash中讀取配置文件,對(duì)FPGA進(jìn)行配置。另一方面,可用Flash來保存用戶程序。對(duì)于較為復(fù)雜的SOPC系統(tǒng),用戶程序一般較大,用EPCS來存儲(chǔ)是不現(xiàn)實(shí)的。系統(tǒng)完成配置后,將Flash中的用戶程序轉(zhuǎn)移到外接RAM或片內(nèi)配置生成的RAM中,然后系統(tǒng)開始運(yùn)行。 2 Flash編程的實(shí)現(xiàn)
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五月份全球半導(dǎo)體銷售增長7.5%達(dá)到218億美元
- 【eNet硅谷動(dòng)力消息】半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)公布月度報(bào)告顯示,今年五月份全球半導(dǎo)體的銷售收入從去年同期的203億美元增長了7.5%達(dá)到218億美元。受到全球消費(fèi)電子產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁和美國消費(fèi)性支出好轉(zhuǎn)的推動(dòng),五月份半導(dǎo)體銷售收入比四月份增長了2.8%,四月份全球半導(dǎo)體銷售收入為212億美元。 數(shù)據(jù)顯示,在半導(dǎo)體銷售中,計(jì)算機(jī)是最大的終端市場(chǎng)。今年前五個(gè)月,全球半導(dǎo)體銷售收入達(dá)到1034億美元,比去年同期增長了5.3%。 半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)總裁George Scalise在一份聲明中表示,盡管有媒體報(bào)告了
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 計(jì)算機(jī) 芯片 數(shù)碼相機(jī) 手機(jī) NAND 閃存
全球閃存市場(chǎng)達(dá)254億美元 廠商Q4投身30nm制程
- 據(jù)外電報(bào)道,NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn),集邦科技表示,各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。 根據(jù)美光預(yù)估,今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長至254億美元規(guī)模,除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲(chǔ)存驅(qū)動(dòng)器)、記憶卡等應(yīng)用外,也相當(dāng)看好移動(dòng)儲(chǔ)存市場(chǎng)的發(fā)展?jié)摿Α? 為降低生產(chǎn)成本,強(qiáng)化競爭力,NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮,其中IM Flash陣營已宣示,34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
- 關(guān)鍵字: 閃存 NAND Flash 移動(dòng)儲(chǔ)存 30納米
旺盛需求助HDD業(yè)渡過低迷時(shí)期
- 據(jù)iSuppli公司,市場(chǎng)對(duì)于容量高達(dá)1TB而且價(jià)格適中的存儲(chǔ)裝置的旺盛需求,正在經(jīng)濟(jì)困難時(shí)期維持硬盤(HDD)產(chǎn)業(yè)的生存。 與NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)不同,HDD廠商一直能夠通過學(xué)習(xí)控制成本來抵抗經(jīng)濟(jì)放緩和需求下滑的嚴(yán)重沖擊。另外,由于新應(yīng)用程序占用的硬盤空間越來越大,PC也需要更大的存儲(chǔ)容量,這有利于硬盤產(chǎn)業(yè)。只要對(duì)存儲(chǔ)容量的需求保持增長,硬盤產(chǎn)業(yè)就能設(shè)法滿足需求。 出貨量保持兩位數(shù)增長率 2008年第一季度,硬盤廠商出貨量為1.37億個(gè),比去年同期增長21%,大部分流向五個(gè)主要領(lǐng)域
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iSuppli維持對(duì)NAND閃存市場(chǎng)狀況的“負(fù)面”評(píng)級(jí)
- 由于NAND閃存市場(chǎng)仍然充滿挑戰(zhàn),iSuppli公司維持對(duì)供應(yīng)商近期形勢(shì)的“負(fù)面”評(píng)級(jí),并重申了對(duì)于2008年全球市場(chǎng)銷售額增長9%的預(yù)測(cè)。 美國經(jīng)濟(jì)低迷導(dǎo)致消費(fèi)需求減弱,NAND需求也出現(xiàn)下滑跡象,促使iSuppli公司去年11月首次對(duì)該市場(chǎng)作出負(fù)面評(píng)估。NAND閃存大量用于個(gè)人媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品之中,因此與其它存儲(chǔ)芯片相比受經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的影響更大。 這種評(píng)估得到了媒體報(bào)道與NAND供應(yīng)商英特爾的業(yè)績預(yù)警的證實(shí)。英特爾在3月份警告稱,由
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東芝停制200毫米NAND閃存 主攻300毫米芯片
- 6月24日消息,由于NAND閃存產(chǎn)業(yè)處于低迷時(shí)期,東芝計(jì)劃減少其NAND閃存芯片產(chǎn)量。 據(jù)國外媒體報(bào)道稱,東芝計(jì)劃停止在FlashVision制造NAND閃存。FlashVision是東芝與SanDisk的合資企業(yè),該公司采用200毫米晶圓片生產(chǎn)閃存芯片。東芝將主要采用300毫米晶圓片生產(chǎn)NAND閃存芯片。 東芝將收購FlashVision的部分生產(chǎn)設(shè)備,并將它們用于該公司位于四日市或其它地方的工廠。FlashVision將把剩余的設(shè)備出售給第三方廠商。 東芝半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼東
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入“無利潤繁榮”時(shí)代?
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入了“無利潤繁榮”時(shí)代?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報(bào)率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求?在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會(huì)”(SEMIIndustryStrategySymposium)上,LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對(duì)產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點(diǎn),并指出目前復(fù)雜的財(cái)務(wù)狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會(huì)者評(píng)價(jià)為此次座談
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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