nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。 TRI觀點： 2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
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Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計隨著DRAM內(nèi)存市場將糾正資本開支的長期錯誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔(dān)心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
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供大于求 明年NAND閃存市場難以復(fù)蘇
- 比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據(jù)國外媒體報道，內(nèi)存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面，這不僅對現(xiàn)貨市場造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價格。 12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價格沒有出現(xiàn)大幅滑落。 NAND閃存合同價格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
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2008：巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預(yù)測數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預(yù)測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 大舉擴產(chǎn)NAND閃存 低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
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采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)
- 汽車上可自動關(guān)閉的電動車窗或車門設(shè)備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達?；谒俣群团ぞ貙?dǎo)數(shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實現(xiàn)的詳細描述。 現(xiàn)代
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NAND Flash進軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應(yīng)用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
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iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期
- 市場研究機構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場銷售收入預(yù)期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預(yù)期顯示，2008年全球半導(dǎo)體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預(yù)測的增幅為9.3%，預(yù)期增幅減少了1.8個百分點。 iSuppli表示，2008年半導(dǎo)體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預(yù)期并不樂觀，而美國經(jīng)濟的影響力自然會波及全球
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東芝推出首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
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基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點，在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù)，而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉，可在線電擦寫，信息在掉電后不會丟失，因此成為設(shè)計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM，可以分為兩大類：并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大，速度快;而串行Fl
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DRAM市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?！? 預(yù)計2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
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各類器件增長強勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高
- 據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。 ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀(jì)錄。 ICInsights認為，
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內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計欲破摩爾定律
- 很多廠商都設(shè)計出了未來的閃存技術(shù)，但誰能夠首先推出產(chǎn)品呢? Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù)，這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術(shù)。 伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達42億美元
- 市場調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。 韓國海力士半導(dǎo)體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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