nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
全球NAND Flash供貨將拉警報(bào)
- NAND型閃存(Flash)供應(yīng)端下半年恐將拉警報(bào)，造成供貨嚴(yán)重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進(jìn)50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應(yīng)下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強(qiáng)化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)進(jìn)至50nm主流制程，加上為供應(yīng)蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預(yù)期2007年下半全球NA
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美光對(duì)NAND Flash發(fā)布警告
- 全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對(duì)全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示，目前NAND Flash廠制程技術(shù)發(fā)展相當(dāng)快速且先進(jìn)，但微影技術(shù)無法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設(shè)備商技術(shù)竟遠(yuǎn)落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展，還必須領(lǐng)先微影設(shè)備商，自行開發(fā)一些相關(guān)技術(shù)。 近來全球各大DRAM廠為能有效運(yùn)用旗下晶圓廠，加上NAND&
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NAND閃存供貨商搶食大餅
- 根據(jù)國外媒體報(bào)導(dǎo)， NAND閃存市場上的競爭業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準(zhǔn)備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個(gè)領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競爭，也在準(zhǔn)備因應(yīng)市場上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應(yīng)用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機(jī)。NAND業(yè)者最近動(dòng)作頻仍，市場領(lǐng)導(dǎo)供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家
- NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，變化相當(dāng)快速，原本第一季度頭號(hào)存儲(chǔ)卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價(jià)格大跌之苦，然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲(chǔ)卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時(shí)期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價(jià)格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財(cái)報(bào)出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”
- 根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會(huì)抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價(jià)和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價(jià)有望下降35%到40%。這種戲劇性的價(jià)格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個(gè)整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營損失，該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則 需求對(duì)降價(jià)呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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NAND近期市場形勢升級(jí)為“中性”
- 對(duì)于受嚴(yán)重價(jià)格侵蝕打擊近六個(gè)月之久的NAND閃存供應(yīng)商來說，現(xiàn)在有好消息但不是最好的消息：iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場的形勢評(píng)級(jí)。 目前，iSuppli將2006年10月2日那一周以來一直保持的NAND供應(yīng)商市場形勢評(píng)級(jí)自“負(fù)面”升為“中性”。就在兩周前，iSuppli還認(rèn)為供應(yīng)商的情況是有史以來最為糟糕的。但是峰回路轉(zhuǎn)—在持續(xù)惡劣條件的情況下，其拐點(diǎn)即將來臨。 iSuppli的NAND動(dòng)量指標(biāo)—上周跟蹤各項(xiàng)決定市場狀態(tài)因素的指標(biāo)向正臨界偏移，該現(xiàn)象是自2006年11月13日那一周后首次出現(xiàn)。
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NAND市場在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷
- 一季度NAND閃存市場有多糟糕？ 糟糕得驚人！ • 全球NAND市場營收下降了6.84億美元，相比2006年第四季度下降了20.6%！ • 市場如此糟糕以至于一個(gè)被公認(rèn)為該市場領(lǐng)軍供應(yīng)商N(yùn)AND的營收在此期間下降了10.1%！ • &nbs
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義隆電子上市高速八位 Flash MCU產(chǎn)品
- 因應(yīng)市場的需求，義隆電子近期推出八位Flash MCU的產(chǎn)品—編號(hào) EM77F900 。這顆IC是一款速度高達(dá)40MIPS的八位單片機(jī)，在高速控制的應(yīng)用領(lǐng)域可以讓您使用時(shí)得心應(yīng)手，同時(shí)，可以廣泛的應(yīng)用于二維條形碼閱讀(2D Bar code reader)、游戲鼠標(biāo)(Gaming mouse)、高速傳輸器(Dongle)、指紋辨識(shí)、移動(dòng)檢測(Motion detect)、USB audio、無線傳輸?shù)阮I(lǐng)域。 義隆電子
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受三星停電事件影響 NAND價(jià)格上漲15-25%
- 根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價(jià)格受韓國三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足，預(yù)估8月下旬價(jià)格將持平或小漲。 據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件，使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況，根據(jù)該公司初步估計(jì)損失約4300萬美元。 &
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上預(yù)先驗(yàn)證
- 北京，2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上的預(yù)先驗(yàn)證。MediaTek總部位于臺(tái)灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司之一。在MediaTek參考設(shè)計(jì)平臺(tái)上完成對(duì)Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗(yàn)證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C(jī)更快地推向中國及其它高速增長市場。 在未來幾年內(nèi)，中國將成為推動(dòng)新型手機(jī)發(fā)
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NAND閃存芯片吃緊 加劇行業(yè)整合態(tài)勢
- 隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場中退出。 今年前一段時(shí)間NAND閃存芯片價(jià)格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價(jià)格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來，因?yàn)椴⒎撬械膬?nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。 現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
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TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導(dǎo)方法*
- 摘要： 本文以實(shí)際系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)為背景，闡述了TMS320C55X系列DSP對(duì)FLASH在線燒寫的方法，給出了系統(tǒng)的硬件連接示意圖和完整的燒寫程序，并研究了自舉引導(dǎo)的實(shí)現(xiàn)方法以及大程序的二次引導(dǎo)方法。關(guān)鍵詞： TMS320C55X；FLASH；Bootloader；燒寫；二次引導(dǎo) 引言隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)的快速發(fā)展，DSP被廣泛的應(yīng)用到各種數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運(yùn)行，必須將程序代碼存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器中。FLASH存儲(chǔ)器以其大容量和可在線編程等特點(diǎn)已成為DSP
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) TMS320C55X FLASH Bootloader 0707_A 雜志_設(shè)計(jì)天地
微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口
- 5月31日消息，美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。 據(jù)techspot網(wǎng)站報(bào)道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機(jī)控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導(dǎo)成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。 該組織希望能夠加速其標(biāo)準(zhǔn)的普及，從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗(yàn)。英特爾或其它廠商是否會(huì)將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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