nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
各類器件增長強(qiáng)勁 出貨量增長率預(yù)測調(diào)高
- 據(jù)市場調(diào)研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預(yù)測是增長8%。 ICInsights將調(diào)高增長率預(yù)測歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達(dá)到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長紀(jì)錄。 ICInsights認(rèn)為，
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報告稱：07年全球集成電路出貨量將增長10%
- 10月21日消息，據(jù)外電報道，市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長率從原來的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長，如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%，NAND閃存出貨量增長38%，接口集成電路出貨量增長60%，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%，汽車模擬集成電路出貨量增長32%。 ICInsights稱，如果2007年全球集成電路出貨量增長率達(dá)到10%或者更高，這將是連續(xù)第六年的兩位增長
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DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清
- 現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚(yáng)，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場相當(dāng)清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認(rèn)為，倘若預(yù)期十一
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NAND閃存價格反彈 帶動八月芯片銷售增長
- 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達(dá)到215.2億美元，比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預(yù)測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節(jié)性增長帶來全球半導(dǎo)體銷售連續(xù)健
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單片機(jī)的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計
- 前言DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
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NAND閃存價格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤大漲
- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認(rèn)為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經(jīng)預(yù)計2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預(yù)計之上?！?價格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴(kuò)展
- 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲 C8051F 引 言 大容量數(shù)據(jù)存儲是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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TMS320C6713的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計
- 前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) TMS320C6713 FLASH 中間件 軟件庫
NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。 雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴
- 據(jù)國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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51內(nèi)核8位單片機(jī)MAX7651的開發(fā)環(huán)境
- 摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號8位單片機(jī)MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應(yīng)用系統(tǒng)時所面臨的問題，并推薦相應(yīng)的解決方案。 關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 在全球8位單片機(jī)領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導(dǎo)者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機(jī)兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
- 關(guān)鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器
基于NOR FLASH存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計
- 本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來討論嵌入式手持移動終端中文件系統(tǒng)的實現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字： FLASH NOR 存儲器 嵌入式文件系統(tǒng)
AVR單片機(jī)的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)
- 摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機(jī)功能強(qiáng)大，在無線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機(jī)，實現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進(jìn)行匯編語言的優(yōu)化及改進(jìn)。根據(jù)實驗結(jié)果。對兩種算法的優(yōu)熱點進(jìn)行比較和分析。 關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash 引言 在無線局域網(wǎng)中，傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截?zé)o線信道中的數(shù)據(jù)，掌握
- 關(guān)鍵字： Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴(yán)格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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