nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
Micron35億美金押寶NAND閃存
- 美國半導體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務上投入35億美金的巨資，以擴充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。 產(chǎn)業(yè)分析師認為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計算機產(chǎn)品、消費電子產(chǎn)品上的應用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰(zhàn)當中保持優(yōu)勢地位。 美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務就是NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： Micron NAND 單片機 美金 嵌入式系統(tǒng) 閃存
SanDisk擬降NAND價格 將再引業(yè)界地震
- 據(jù)臺灣SanDisk公司內(nèi)部人士透露，公司將在本周將其NAND閃存的價格降低10％到15％。 知情人士稱，SanDisk公司此次對其NAND閃存制成品的價格調(diào)整將在全球范圍內(nèi)同時展開，而不是針對某一地區(qū)市場進行。這將是SanDisk公司在今年進行的第四次產(chǎn)品降價，業(yè)內(nèi)觀察員指出，每次SanDisk公司對產(chǎn)品價格進行調(diào)整都會對整個業(yè)界的價格體系造成一定影響。 業(yè)內(nèi)人士預計，Sandisk公司即將進行的產(chǎn)品價格調(diào)整可能會在業(yè)內(nèi)
- 關(guān)鍵字： NAND SanDisk 消費電子 消費電子
ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄
- 單片多級單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強大的5位糾錯機制降低下傳時間50% 意法半導體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細節(jié)，ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達36MB/s, 比今天市場上的最好成績還高大約50%。 新芯片內(nèi)嵌一個功能強大的糾錯處理器，每頁可以改正最多五個錯誤，為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證，同時還簡化了存儲系統(tǒng)的設(shè)計，在舊金山國際固態(tài)電路大會(ISSCC) 上，意法半導體和韓國現(xiàn)代海力士（Hynix）的研究人員
- 關(guān)鍵字： NAND ST 嵌入式系統(tǒng)
基于TMS320C54x的便攜存儲設(shè)備設(shè)計
- 摘 要：本文介紹了一種以TMS320C54x為核心的移動存儲終端，終端中使用NAND Flash作為存儲器件。討論了TMS320C54x對NAND Flash的編程以及接口設(shè)計。關(guān)鍵詞：DSP；NAND；Flash 引言移動存儲終端包括手機、掌上電腦、PDA和數(shù)碼相機等手持設(shè)備及各種信息家電。在這類產(chǎn)品中既要結(jié)合存儲功能，又需要具備一定的信號處理能力，因此基于DSP芯片的設(shè)計方案成為這些產(chǎn)品的主流方案。同時，為了降低產(chǎn)品成本，采用具有較高容量/價格比的NAND Fla
- 關(guān)鍵字： DSP Flash NAND 存儲器
基于CC1010芯片的微型無線數(shù)據(jù)收發(fā)模塊的設(shè)計
- 摘 要：本文介紹了基于SmartRF CC1010芯片的微型無線數(shù)據(jù)收發(fā)模塊的設(shè)計，給出了采用CC1010芯片設(shè)計微型無線數(shù)據(jù)收發(fā)模塊的設(shè)計方案，并提出了在PCB板制作過程中應注意的問題。關(guān)鍵詞：SmartRF CC1010；8051內(nèi)核；Flash引言無線射頻傳輸主要應用于家庭自動化控制、工業(yè)系統(tǒng)控制、自動儀表檢測系統(tǒng)、安防報警系統(tǒng)、計算機網(wǎng)絡控制以及掌上PDA無線數(shù)據(jù)通信方面。CC1010是根據(jù)SmartRF技術(shù)，在0.35mm CMOS工藝下研制出的一種理想的超高
- 關(guān)鍵字： 8051內(nèi)核 Flash SmartRF CC1010 模塊
低壓閃光燈方案
- 摘 要：本文介紹了手機和數(shù)碼相機用低壓閃光燈方案、主要器件，以及設(shè)計選用要求。關(guān)鍵詞：低壓閃光燈；Flash LED；電荷泵 各種相機內(nèi)置或外加的萬次閃光燈，多數(shù)都是通過振蕩和變壓器升壓，經(jīng)電容器儲存能量，在需要的瞬間釋放并感應出高壓，激發(fā)惰性氣體發(fā)出脈沖光，從而獲得極強的瞬時功率。以高亮度LED為閃光燈源的低壓閃光燈的出現(xiàn)，給傳統(tǒng)的閃光燈帶來了革命性的變化。低壓閃光燈不需要振蕩電路，不需要升壓變壓器和儲能大電容器，F(xiàn)lash LED只需要3.5~4.5V的直流電壓、
- 關(guān)鍵字： Flash LED 低壓閃光燈 電荷泵 發(fā)光二極管 LED
NAND閃存市場2009年將漲三倍
- 據(jù)市場研究機構(gòu)In-Stat預測，到2009年時NAND閃存的市場規(guī)模將從2004年的50億美元增長到180億美元。 NAND閃存由于在存儲容量和價格上頗具優(yōu)勢，因此主要應用在存儲卡和U盤上面。據(jù)In-Stat稱，由于消費電子產(chǎn)品對于成本非常敏感，因此NAND閃存在存儲卡市場上仍將大有作為。 In-Stat高級研究員Frank Dickson表示：“由于市場需求旺盛，閃存市場發(fā)展非常迅速，NAND閃存當然也不例外?！?nbsp
- 關(guān)鍵字： NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473