nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
累計出貨190億顆！兆易創(chuàng)新NOR閃存高居全球第三
- 在國產(chǎn)化Flash閃存領(lǐng)域，NAND閃存的領(lǐng)軍當(dāng)屬長江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創(chuàng)新?！ ?月30日，兆易創(chuàng)新官方宣布，旗下Flash閃存產(chǎn)品累計出貨量已經(jīng)超過190億顆，其中NOR閃存的市場份額更是排名全球前三?！ ≌滓讋?chuàng)新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術(shù)工藝上持續(xù)打磨產(chǎn)品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產(chǎn)品已經(jīng)上市，可大大縮減系統(tǒng)PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產(chǎn)品即將面世，可顯著延長電池壽命?！ OR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環(huán)、無線耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 NOR Flash
2022年Nor Flash產(chǎn)值將增長21%至35億美元
- Nor Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但Nor Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元，Nor Flash出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。預(yù)計Nor Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。 Nor Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達91%。 去年華邦電Nor Flash銷售額達10億美元，市占率以35%居冠。華邦電從2011年來，采用58納米制程生產(chǎn)大多數(shù)的NOR產(chǎn)品，但2021年大多數(shù)已轉(zhuǎn)進40納米制程。
- 關(guān)鍵字： 華邦電 旺宏 兆易創(chuàng)新 Nor Flash
鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設(shè)備的存儲密度，據(jù)外媒報導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash 鎧俠
潛力無限的汽車存儲芯片
- 隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動力?！ ∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
- 關(guān)鍵字： 北京君正 兆易創(chuàng)新 DRAM NAND
盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
- 5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 NAND Flash
2022年NOR Flash產(chǎn)值將成長21%至35億美元
- 據(jù)IC Insights周二在《 The McClean Report 2022 》更新的數(shù)據(jù)顯示， NOR Flash在2021年僅占整體閃存市場總額的4%，但NOR Flash產(chǎn)品的銷售額飆升63%至29億美元， NOR Flash 出貨量增長了33%，平均售價則上漲23%。機構(gòu)樂觀預(yù)計NOR Flash市場將在2022年再增長21%至35億美元。NOR Flash市場由華邦電、旺宏、兆易創(chuàng)新3家廠商主導(dǎo)，市占率共達 91%。該機構(gòu)指出，去年華邦電NOR Flash銷售額達10億美元，市占率以35%居
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 NOR Flash
兆易創(chuàng)新：MCU只是個“過渡故事”
- A股市場向來熱衷炒作預(yù)期。投資者樂于為概念買單，愿意給一家公司提前多年的估值。國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計龍頭兆易創(chuàng)新(SH:603986)，就曾是一個被預(yù)期打滿的例子。2020年初，兆易創(chuàng)新市值一度突破1200億。然而19年和20年，它才只有25億和38億營收。過度估值的結(jié)果就是，當(dāng)抱團瓦解，兩年之內(nèi)兆易創(chuàng)新股價經(jīng)歷三次大起大落。圖片：兆易創(chuàng)新剛到千億市值，到如今 來源：雪球當(dāng)下，作為A股閃存設(shè)計龍頭的兆易創(chuàng)新，再一次試圖向千億市值發(fā)起了沖擊。這一次，它有什么新故事嗎？01 基本面往事要想看清楚兆易創(chuàng)新的新故事，看清
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 NOR Flash
2021全球NOR Flash市場：兆易創(chuàng)新銷售額暴增100%，份額升至23.2%
- 6月21日消息，半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)IC Insights發(fā)布的最新研究報告指出，2021年NOR Flash市場銷售額雖然僅占整個Flash市場的銷售額4%，但是2021年NOR Flash的出貨量同比大幅增長了33%，同時平均售價也同比上漲了23%，使得NOR Flash總銷售額同比暴漲了63%，達到了29億元。根據(jù)IC Insights的預(yù)測， 2022年NOR Flash市場還將繼續(xù)增長 21%，使得總銷售金額達到35億美元的新高，這也將頭部的NOR Flash大廠直接受益。數(shù)據(jù)顯示，華邦電子、旺宏
- 關(guān)鍵字： 華邦電子 旺宏 兆易創(chuàng)新 NOR Flash
國際巨頭把控全球存儲市場，國內(nèi)企業(yè)如何破局
- 根據(jù)斷電之后數(shù)據(jù)是否依舊被保存對半導(dǎo)體存儲器進行劃分，半導(dǎo)體存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩大類。我們熟知的RAM（隨機存取存儲器）屬于易失性存儲器，其中RAM又可分為DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）與SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）。而ROM（只讀存儲器）和FLASH（閃存）則屬于非易失性存儲器，即斷電之后存儲器中的數(shù)據(jù)仍然能被保存的存儲設(shè)備。據(jù)IC Insights預(yù)測，2022年、2023年全球存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1804億和2196億美元，市場成長空間廣闊。但在全球的存儲芯片領(lǐng)域，市
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 NOR Flash
汽車缺芯帶來確定性上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)驅(qū)動兆易創(chuàng)新活力
- 作為國內(nèi) MCU 產(chǎn)商的領(lǐng)先公司，兆易創(chuàng)新將直接受益于 MCU 國產(chǎn)化，強化其領(lǐng)先地位，擴寬其成長潛力。全球汽車缺芯帶來公司估值的上漲，智能駕駛與物聯(lián)網(wǎng)帶來全新的創(chuàng)新方向，國產(chǎn)化擴寬公司的成長潛力。1. 確定性與創(chuàng)新性是公司估值擴張最有力的保障半導(dǎo)體行業(yè)庫存結(jié)構(gòu)性緊張帶來確定性的估值上漲。半導(dǎo)體存貨緊張引起供應(yīng)不足，帶來市場的高景氣。汽車電子市場需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈沖擊的持續(xù)與消費電子等芯片市場產(chǎn)能擠壓共同影響，汽車芯片產(chǎn)能釋放不及時，存貨市場將帶來公司估值確定性擴張。圍繞最具活力的創(chuàng)新性方向擴張其估值。創(chuàng)新
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 MCU NOR Flash
中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級
- 近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年
- 近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢?，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 3D NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473