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          兆易創(chuàng)新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世

          • 中國(guó)北京(2023年5月16日) —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達(dá)128Mb,是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品,可在應(yīng)對(duì)大容量代碼存儲(chǔ)需求的同時(shí),提供極大限度的緊湊型設(shè)計(jì)自由。近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護(hù)、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展,市場(chǎng)需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中
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          NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

          • 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技(SIMO)公布2023年第1季財(cái)報(bào),營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元,季減38%,年減49%,第1季毛利率42.3%,稅后凈利1116萬(wàn)美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示,包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶,目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱,上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫(kù)存,包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商,因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為,見到一些客戶的下單模式從第2季開始有所改善,再加
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          3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)

          • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備,雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件,這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC,通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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          復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

          • 4月27日,上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì),推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬(wàn)次擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、
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          先進(jìn)封裝推動(dòng) NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

          • 先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
          • 關(guān)鍵字: 封裝  NAND  DRAM   

          英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

          • 【2023 年 04 月 10日,德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過專門優(yōu)化,適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn),有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示,藍(lán)牙耳
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SEMPER  Nano NOR Flash  閃存  

          預(yù)估第二季NAND Flash均價(jià)續(xù)跌5~10%,能否止跌端看下半年需求

          • 即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn),然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見起色,NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過剩狀態(tài),故TrendForce集邦咨詢預(yù)估,第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續(xù)下跌,環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn),TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修,NAND Flash均價(jià)有機(jī)會(huì)在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續(xù)疲弱,均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫(kù)存去化已見成
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          2023年內(nèi)存芯片趨勢(shì)

          • 2023 年,存儲(chǔ)芯片的跌勢(shì)仍在延續(xù),何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片  DRAM  NAND  

          NAND Flash 大降價(jià),固態(tài)硬盤取代機(jī)械硬盤指日可待

          • 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了,目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價(jià)導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì),此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤)是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約 23-28%。這對(duì)于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對(duì)于普通消費(fèi)者來說,我們確實(shí)能買到更便宜的固態(tài)
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          內(nèi)存雙雄:市況否極泰來

          • 華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底;南亞科上半年跌幅收斂。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          (2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

          • 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng),華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示,在美國(guó)制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因?yàn)橛辛藝?guó)產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期,但在前進(jìn)的道路上并沒有停步。
          • 關(guān)鍵字: 莫大康  半導(dǎo)體  華為  光刻機(jī)  NAND  

          存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

          • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌,加上庫(kù)存水位過高,終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo),三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出,截至去年第四季,整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  NAND Flash  

          存儲(chǔ)大廠展示300層NAND Flash,預(yù)計(jì)最快2024年問世

          • 近日,在第70屆IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市,有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo),SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
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          (2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

          • 半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng),華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示,在美國(guó)制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因?yàn)橛辛藝?guó)產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期,但在前進(jìn)的道路上并沒有停步
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  莫大康  華為  NAND  光刻機(jī)  

          均價(jià)跌幅擴(kuò)大,2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%

          • TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì),此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí),客戶為避免零部件庫(kù)存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%,平均銷售單價(jià)環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%,達(dá)
          • 關(guān)鍵字: 集邦  NAND Flash  
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          nand flash介紹

           Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]

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