EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞－莫大康
- 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開(kāi)發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng)，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國(guó)制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開(kāi)發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來(lái)，因?yàn)橛辛藝?guó)產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步。
- 關(guān)鍵字： 莫大康 半導(dǎo)體 華為 光刻機(jī) NAND
存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫(kù)存水位過(guò)高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM NAND Flash
存儲(chǔ)大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計(jì)最快2024年問(wèn)世
- 近日，在第70屆IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
- 關(guān)鍵字： 300層 NAND Flash SK海力士
(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康
- 半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開(kāi)發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng)，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國(guó)制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開(kāi)發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開(kāi)發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來(lái)，因?yàn)橛辛藝?guó)產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒(méi)有停步
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 莫大康 華為 NAND 光刻機(jī)
均價(jià)跌幅擴(kuò)大，2022年第四季NAND Flash總營(yíng)收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶為避免零部件庫(kù)存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%，平均銷售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新
- 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上表示，2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元（當(dāng)前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當(dāng)前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字： NAND 內(nèi)存 西部數(shù)據(jù)
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費(fèi)性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來(lái)消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測(cè) 202212
全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨
- 12月15日，美光宣布，已開(kāi)始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競(jìng)品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
- 關(guān)鍵字： 美光 232層 NAND SSD
韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM NAND
三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb
- 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND 存儲(chǔ)密度
三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 三星
存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)
- NAND 閃存用于各種消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如傳感器和控制器。 在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中，這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強(qiáng)大的安全措施，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。 因此，在選擇或設(shè)計(jì) NAND 閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)，必須確保存儲(chǔ)器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強(qiáng)大以支持整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)所需的安全級(jí)別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見(jiàn)的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)系統(tǒng) 數(shù)字安全 海派世通 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473