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韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場
- 市場調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機(jī)等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過
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全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增
- 2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。 三星在2
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機(jī)構(gòu):DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn)，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達(dá)到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產(chǎn)的結(jié)果，在產(chǎn)能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 Gart
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乘上存儲芯片漲價潮 美光Q2業(yè)績超預(yù)期
- 北京時間3月24日上午消息，由于供應(yīng)趨緊和需求旺盛導(dǎo)致存儲芯片價格上升，美光科技預(yù)計當(dāng)前季度的營收和利潤遠(yuǎn)超分析師預(yù)期。該公司第二財季利潤也超出分析師預(yù)期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。 由于各大企業(yè)都在爭相開發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應(yīng)瓶頸，但與此同時，智能手機(jī)、人工智能、無人駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)的數(shù)據(jù)存儲需求卻在飆升，導(dǎo)致全球存儲芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級周期”。 美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
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三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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長江存儲3D閃存各項指標(biāo)已達(dá)預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，隨后
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手機(jī)廠家紛紛漲價全是因為它
- 3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進(jìn)行價格調(diào)整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價措施……手機(jī)廠家紛紛執(zhí)行漲價措施，往常都想用低價策略吸引用戶的廠家們這次都是因為什么呢? 有沒有朋友發(fā)現(xiàn)目前市場上的閃存類產(chǎn)品價格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內(nèi)存、硬盤類產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價的手機(jī)是否有什么關(guān)系呢? 關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產(chǎn)減少，出現(xiàn)了供不應(yīng)求的狀況，導(dǎo)致其價格上漲，最終
- 關(guān)鍵字： Nand 內(nèi)存
DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)) 工作原理 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。
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打破市場壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，
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