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1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世
- 三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb
- 相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。 三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標(biāo)準(zhǔn)。 其
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東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND
- 日刊工業(yè)新聞7日報導(dǎo) ，為了提高3D架構(gòu)的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應(yīng)三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預(yù)計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導(dǎo)體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責(zé)
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半導(dǎo)體人才流失中國，三星呼吁韓國政府幫忙
- 根據(jù)韓國英文媒體 《The Korea Times》 的報導(dǎo)，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國政府喊話，要韓國政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問題。 報導(dǎo)中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門的權(quán)五鉉，日前在一項公開演講中指出，韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認為有其競爭的實力。 不過，卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問題。 權(quán)五鉉進一步指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國政府能藉由科技培訓(xùn)的管道，持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
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解讀：上半年中國固態(tài)硬盤市場發(fā)展現(xiàn)狀
- 受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動設(shè)備等領(lǐng)域SSD強勁需求，2017年上半年NAND Flash價格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計，NAND Flash價格累計漲幅達26%，消費類每GB銷售價格突破了0.3美金。 ? 2017年上半年，中國市場智能手機、平板電腦等移動設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價格持續(xù)走高，高價壓力下的SSD市場呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。 ?
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ICinsights:DRAM、NAND售價已暴漲一年
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價已經(jīng)連續(xù)四個季度上漲。 不過因為原廠紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
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NAND閃存供應(yīng)短缺，三星斥資186億美元投資芯片
- 韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。 近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
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ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉(zhuǎn)
- ICinsights認為，全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。 盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價今年預(yù)估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。 內(nèi)存價格從去年第三季起漲，ICinsights預(yù)期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。 ICinsights指出，隨著價格走揚，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
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KBS：聚焦韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
- 韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個同盟，將投標(biāo)收購日本東芝的內(nèi)存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。 根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導(dǎo)體廠
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NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃
- 這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預(yù)期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花 1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
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三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)
- 據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來全球半導(dǎo)體市場上供不應(yīng)求的局面。 據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設(shè)，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。 東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」？
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預(yù)計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。 在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預(yù)計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
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三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務(wù)器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導(dǎo)指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 其實，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 I
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