nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
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西數(shù)超車三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰(zhàn)

　　全球硬盤機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過(guò)外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)淹沒市場(chǎng)，重創(chuàng)NAND價(jià)格。　　巴倫(Barronˋs)11日?qǐng)?bào)道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計(jì)劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報(bào)告稱，當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購(gòu)了
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第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPhone 7的銷售
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TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPh
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未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折新興驅(qū)動(dòng)力具獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

未來(lái)半導(dǎo)體進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折，包括邏輯芯片制程技術(shù)推進(jìn)到10/7納米;存儲(chǔ)器推進(jìn)到3D NAND Flash;因應(yīng)芯片愈來(lái)愈小，制圖成型依賴愈來(lái)愈高;移動(dòng)設(shè)備導(dǎo)入OLED比重會(huì)愈來(lái)愈高以及大陸積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對(duì)串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的具體應(yīng)用。
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打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)三強(qiáng)鼎立局面的機(jī)會(huì)何在？

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。
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TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì)

TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì),摘要為實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號(hào)處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對(duì)外部ROM的引導(dǎo)方式，以及一種無(wú)需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過(guò)數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例，同時(shí)結(jié)合LED燈閃爍實(shí)例驗(yàn)證
關(guān)鍵字： DSP 加栽模式二次加載 Flash

中國(guó)手機(jī)出貨強(qiáng)勁推動(dòng)?xùn)|芝營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍

　　據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天將截至9月份的上半財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預(yù)期為300億日元。　　受此消息推動(dòng)，東芝股價(jià)在周三快速上漲，創(chuàng)下自去年10月以來(lái)的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期，該公司在今年5月份最初預(yù)計(jì)上半財(cái)年將營(yíng)業(yè)虧損200億日元。　　智能機(jī)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)?xùn)|芝上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期。另外，比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。　　芯片需求的增長(zhǎng)源于中國(guó)智能機(jī)出貨量的強(qiáng)勁表現(xiàn)。盡管全球智能機(jī)市場(chǎng)表現(xiàn)乏力，但是中國(guó)智能機(jī)出
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NAND閃存需求提升東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測(cè)

　　先前，因?yàn)槭艿竭B續(xù)7年作假帳風(fēng)波，因而導(dǎo)致公司商譽(yù)嚴(yán)重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測(cè)，預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn)，較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%，每股EPS也將達(dá)到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。　　東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機(jī)對(duì)于NAND閃存的提升，尤其在中國(guó)市場(chǎng)，在手機(jī)制造商不斷提升產(chǎn)品的儲(chǔ)存能力，所以需要性能越來(lái)越好的NAND閃存產(chǎn)品，導(dǎo)致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚(yáng)，如此以進(jìn)一
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三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

　　日媒稱，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報(bào)值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長(zhǎng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來(lái)時(shí)隔29個(gè)月增長(zhǎng)率首次超過(guò)30%。中國(guó)半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了活力。另一方面，半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。　　據(jù)外媒報(bào)道，“采購(gòu)設(shè)備的時(shí)間提前了”，東電電子社長(zhǎng)河合利樹無(wú)法掩飾他對(duì)半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈設(shè)備投資欲的驚訝。
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日媒：中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)大幅增長(zhǎng)

　　據(jù)韓聯(lián)社9月19日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。　　今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元，排名第一的美國(guó)英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元，市場(chǎng)份額為14.7%。　　三星與英特爾的市場(chǎng)份額差距在2012年達(dá)5.3個(gè)百分點(diǎn)，2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn)，2014年3.4個(gè)百分點(diǎn)，2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上，但
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第二季NAND Flash品牌營(yíng)收排行

　　第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收較上季成長(zhǎng)3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。　　受惠于中國(guó)智慧型手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級(jí)固態(tài)硬碟與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開始收斂，通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢(shì)。　　DRAM
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

　　美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。　　Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng)，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來(lái)越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認(rèn)的
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TrendForce：市況逐步回穩(wěn)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收季成長(zhǎng)3.4%

　　受惠于中國(guó)智能手機(jī)品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報(bào)告顯示，第二季eMMC、消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤與企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤的合約價(jià)跌幅開始收斂，渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚(yáng)，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢(shì)季成長(zhǎng)3.4%，結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢(shì)。　　　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第三?/li>
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