蘋果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時隔5年，蘋果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會采用AMOLED屏幕。
先前蘋果不用三星閃存，是因為三星希望在閃存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺灣供應商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個技術，來讓閃存顆粒滿足蘋果的EMI屏蔽標準。又因為這一工藝較為廉價，所以三星比較重視。
使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
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蘋果 NAND
傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋果(Apple)供應NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。
據(jù)韓媒ET News報導，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進行EMI遮蔽制程。
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三星 NAND
韓廠積極打進蘋果iPhone供應鏈。韓國媒體報導，三星電子計畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應鏈。
韓國網(wǎng)站媒體ET News報導，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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三星 NAND
大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。
據(jù)韓聯(lián)社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。
韓聯(lián)社引述EE Times
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新芯 NAND
國內(nèi)大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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存儲器 3D NAND
不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預測同樣悲觀。
美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。
美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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DRAM NAND
在國家意志的推動下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
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存儲器 NAND
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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NAND 存儲器
國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術投資，將驅動2016年晶圓廠設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內(nèi)的前段晶圓廠設備支出將增長3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長13%，達421億美元。
SEMI指出，2015年晶圓廠設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數(shù)成
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晶圓 3D NAND
國內(nèi)終于要有了存儲，剩下的問題就是國產(chǎn)閃存應該如何與三星、Intel、東芝們競爭呢？初期的價格戰(zhàn)是不可避免的，但長久來看還得是技術立足。
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3D NAND 存儲
“失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。
東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務出售給美的集團(參閱本站報道1)。關于個人電腦業(yè)務與其他公司進行業(yè)務合并一事，室町表示“希望在201
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東芝 NAND
為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
1、積極導入48層3D技術量產(chǎn)，提高成本競爭力
與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND 2D
除供過于求價格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉進已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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NAND 美光
2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND 三星
2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉進已遇到瓶頸，三星(Sam
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NAND SSD
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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