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          美光出貨全球首款232層NAND,進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

          • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比,該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效,能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層,
          • 關(guān)鍵字: 美光  232層  NAND  

          SSD價格還將要大降價:NAND供應(yīng)過剩

          • 芯研所7月22日消息,TrendForce集邦咨詢表示,需求未見好轉(zhuǎn),NAND Flash產(chǎn)出及制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù),下半年市場供過于求加劇,包含筆記本、電視與智能手機(jī)等消費(fèi)性電子下半年旺季不旺已成市場共識,物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應(yīng)鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢,客戶拉貨態(tài)度保守,造成庫存問題漫溢至上游供應(yīng)端,賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預(yù)估,由于供需失衡急速惡化,第三季NAND Flash價格跌幅將擴(kuò)大至8~13%,且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應(yīng)鏈的說法,雖然仍
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  存儲  

          鎧俠為實現(xiàn)超高容量SSD,正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

          • NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設(shè)備的存儲密度,據(jù)外媒報導(dǎo),近日鎧俠表示,公司一直在試驗在一個單元中存儲更多比特數(shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報道,近日鎧俠表示,已設(shè)法在每個單元中存儲7 Bits (7 bpc),盡管是在實驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高,存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如,要存儲4位,單元必須保持16個電壓電平 (2^4),但使用6位,該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實現(xiàn)的每個單元
          • 關(guān)鍵字: SSD  NAND Flash  鎧俠  

          潛力無限的汽車存儲芯片

          •   隨著智能化、電動化浪潮的推進(jìn),汽車芯片的含量成倍提升,電動車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍,智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片,2035年增長為1285億顆。價值增量端,2020年汽車芯片價值量為339億美元,2035年為893億美元??梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點(diǎn),有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動力?! ∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類:主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲芯片為例,2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元,國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
          • 關(guān)鍵字: 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

          盈利能力大增,估值較低的存儲龍頭被看好?

          • 5月30日兆易創(chuàng)新宣布,公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過190億顆,年出貨量超過28億顆,目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一,全球第三,2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片,兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU,在過去一段時間行業(yè)普遍缺芯的背景下,兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實現(xiàn)大幅增長,2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%,歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
          • 關(guān)鍵字: 兆易創(chuàng)新  NAND Flash  

          中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

          • 近日,韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所(OERI)推算,韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為:DRAM的差距約為 5年,NAND 的差距約為2年。該研究院分析,中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM??紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半,兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測,在NAND閃存領(lǐng)域,中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          長江存儲推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時代存儲升級

          • 近日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(簡稱“長江存儲”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場,將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲  3D NAND  

          中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

          • 全球范圍看,2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場規(guī)模約占56%,NAND Flash市場規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計,2021年全球存儲市場規(guī)模將達(dá)1620億美元,增長29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
          • 關(guān)鍵字: 存儲芯片  DRAM  NAND Flash  

          長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

          • 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景,而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲  3D NAND  

          存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年

          • 近日,有消息稱,國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計在2022年底或2023年初,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見,國產(chǎn)存儲芯片,在技術(shù)上確實已經(jīng)追上了三星
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲  3D NAND  

          中國芯片傳來捷報,長江存儲取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

          • 中國芯片傳來捷報,長江存儲取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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          國產(chǎn)存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預(yù)計年底量產(chǎn)

          • 頭一段時間,有媒體報道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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          美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

          • 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載設(shè)計的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品,采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構(gòu),支持廣范的應(yīng)用場景,提供相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能,并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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          SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”

          • “獨(dú)立子公司成立僅三個月,兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運(yùn)營,以創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm(或“公司”, www.skhynix.com)今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD(eSSD)產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  Solidigm  eSSD  NAND  

          針對勒索軟件與網(wǎng)絡(luò)攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品

          • IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品,瞄準(zhǔn)日益嚴(yán)峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊并從中恢復(fù);而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境,旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò)復(fù)原力和應(yīng)用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品,瞄準(zhǔn)勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò)攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡(luò)彈性機(jī)構(gòu)的研究,46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡(luò)攻
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          nand介紹

          一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達(dá)二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]

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