nand 文章 進入nand技術(shù)社區(qū)
預(yù)估第二季NAND Flash均價續(xù)跌5~10%,能否止跌端看下半年需求
- 即便原廠持續(xù)進行減產(chǎn),然需求端如服務(wù)器、智能手機、筆電等需求仍未見起色,NAND Flash市場仍處在供給過剩狀態(tài),故TrendForce集邦咨詢預(yù)估,第二季NAND Flash均價仍將持續(xù)下跌,環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn),TrendForce集邦咨詢認為若目前需求端未再持續(xù)下修,NAND Flash均價有機會在第四季止跌反彈,反之,若旺季需求端持續(xù)疲弱,均價反彈時間恐再延后。Client SSD方面,目前PC OEM零部件庫存去化已見成
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NAND Flash 大降價,固態(tài)硬盤取代機械硬盤指日可待
- 相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了,目前市場上很多固態(tài)硬盤的價格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示,NAND Flash 市場自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對,此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價格下跌 20-25%,其中 Enterprise SSD(企業(yè)級固態(tài)硬盤)是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約 23-28%。這對于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息,但對于普通消費者來說,我們確實能買到更便宜的固態(tài)
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康
- 半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步。
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存儲器廠商Q1虧損恐難逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌,加上庫存水位過高,終端消費支出持續(xù)放緩,據(jù)外電消息,韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出,南亞科(2408)及華邦電(2344)因減產(chǎn)及跌價導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑,第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導(dǎo),三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出,截至去年第四季,整體庫存資產(chǎn)達到52.2兆韓元(約折合399億美元),遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中,占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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存儲大廠展示300層NAND Flash,預(yù)計最快2024年問世
- 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預(yù)定兩年內(nèi)上市,有望打破紀錄。外媒報導(dǎo),SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康
- 半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非:華為三年完成了13000型號器件的替代開發(fā)近日,華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮,為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎,華為總裁任正非發(fā)表了講話,部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀要。任正非表示,在美國制裁華為這三年期間,華為完成 13000 + 型號器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等,直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來,因為有了國產(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示,華為現(xiàn)在還屬于困難時期,但在前進的道路上并沒有停步
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均價跌幅擴大,2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%
- TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對,此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%,其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品,跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時,客戶為避免零部件庫存再攀高,備貨態(tài)度消極,使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長僅5.3%,平均銷售單價環(huán)比減少22.8%,2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%,達
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復(fù)雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當(dāng)今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
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西部數(shù)據(jù)宣布進一步削減生產(chǎn)和投資,NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下,全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示,2023 財年設(shè)備投資總額將達到 23 億美元(當(dāng)前約 156.17 億元人民幣)。據(jù)IT之家了解,這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元(當(dāng)前約 183.33 億元人民幣)下降了 14.8%,與 2022 年 8 月公布
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NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(Client SSD)受惠于疫情紅利,在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角,市調(diào)機構(gòu)集邦預(yù)估,2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92%,2023年約96%。但隨疫情紅利退場,加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費性電子需求急凍,未來消費性SSD需求放緩最明顯,連帶使整體NAND Flash需求位成長受限,估2022~2025年的年增率均低于30%。容量方面,2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB,512GB消費性SSD在近期迅速跌價后,已與半年前256GB報價相近,甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計與實現(xiàn)
- 在現(xiàn)代電子設(shè)備中,越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數(shù)據(jù)存儲,而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點,需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計方法,利用FPGA中RAM模塊,設(shè)計了狀態(tài)機電路,靈活地實現(xiàn)壞塊表的建立、儲存和管理,并且對該設(shè)計進行測試驗證。
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
全球首款!美光232層NAND客戶端SSD正式出貨
- 12月15日,美光宣布,已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(SSD)。據(jù)官方介紹,美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD,該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu),采用美光232層NAND技術(shù),加強了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶端等主流PC平臺上提升應(yīng)用程序的運行速度和響應(yīng)靈敏度。與競品相比,2550 SSD文件傳輸速度快112%,辦公應(yīng)用運行速度快67%,主流游戲加載速度快57%,內(nèi)容創(chuàng)
- 關(guān)鍵字: 美光 232層 NAND SSD
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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