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          認(rèn)識(shí)線性功率MOSFET

          • 本文針對(duì)MOSFET的運(yùn)作模式,組件方案,以及其應(yīng)用范例進(jìn)行說明,剖析標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的基本原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì),與方案選擇的應(yīng)用思考。線性MOSFET是線性模式應(yīng)用時(shí)最合適的選擇,能夠確保可靠的運(yùn)作。然而,用于線性模式應(yīng)用時(shí),標(biāo)準(zhǔn)MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩(wěn)定性,從而可能導(dǎo)致組件損壞。A類音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達(dá)控制或電子負(fù)載等線性模式應(yīng)用,都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內(nèi)運(yùn)行。了解線性模式運(yùn)作在功率 MOSFET 的線性工作模式下,高電壓和高
          • 關(guān)鍵字: Littelfuse  線性功率  MOSFET  

          電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)

          • 現(xiàn)階段,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,令這些器件所需功率急劇增加,直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求:一是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率)升級(jí),為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度;另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升,高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認(rèn)的解決方案,是將先進(jìn)的開關(guān)MOSFET(穩(wěn)壓器的主要組成部分)及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級(jí)封裝,從而實(shí)現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級(jí)優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對(duì)這
          • 關(guān)鍵字: 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)  單片驅(qū)動(dòng)器  MOSFET  DrMOS  

          科普:MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理

          • MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓,產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。市面上大家所說的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  

          基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案

          • REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板,能夠提供高達(dá)11kW的800 V輸出電壓,IMZ120R030M1H(30mΩ/1200V SiC MOSFET)加上1EDC20I12AH,使其性價(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關(guān)特性,是電動(dòng)汽車和能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS)等DCDC項(xiàng)目的理想選擇。 終端應(yīng)用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機(jī),50 kW 至 350 kW 的充電機(jī),儲(chǔ)能系統(tǒng),電動(dòng)汽車快速充電,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) (PCS)?場(chǎng)景應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: mosfet  dc-dc  英飛凌  ipcdcdc  infineon  終端  功率  dc  充電器  

          上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案

          • 智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代,功能越來越豐富,隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而,在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下,人們開始探索更快的電量補(bǔ)給,以高效充電來壓縮充電時(shí)間,降低充電的時(shí)間成本,從而換取設(shè)備的便攜性,提升用戶體驗(yàn)。目前,USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格,以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設(shè)備都能通過一條USB-TYPE C線纜
          • 關(guān)鍵字: 上海貝嶺  驅(qū)動(dòng)IC  MOSFET  

          測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法

          • SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解,其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量,在開關(guān)速度較快時(shí)
          • 關(guān)鍵字: 羅姆半導(dǎo)體,MOSFET  

          東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,已于今日開始出貨。  新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SiC MOSFET  

          Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級(jí)12和30V MOSFET

          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號(hào)Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級(jí)DSN1006封裝,具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢(shì),滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競(jìng)爭(zhēng)器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負(fù)載開關(guān)
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  晶圓級(jí)  MOSFET  

          單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • 本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。引言隨著技術(shù)的進(jìn)步,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域,推動(dòng)穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率
          • 關(guān)鍵字: ADI  MOSFET  電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)  

          Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件,如今更進(jìn)一步,Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中,成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括: ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù),這為產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來了若干挑戰(zhàn)。首先,隨著功能的增加,可供使用的電路板空間變得十分寶貴,另外,隨著
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  MOSFET  

          豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

          • 電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù),離不開高性能的開關(guān)器件。近日,豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET:業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON),專為手機(jī)鋰電池保護(hù)設(shè)計(jì)近幾年,手機(jī)快充技術(shù)飛速發(fā)展,峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費(fèi)者電量焦慮的同時(shí),高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護(hù)開關(guān)的作用,其本身對(duì)功率的損耗也必須足夠低才能
          • 關(guān)鍵字: 豪威集團(tuán)  MOSFET  

          分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

          • 米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng),硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是,這對(duì)于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎?引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵(lì)設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET,從而簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路。為此,本文介紹了
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌   MOSFET  

          具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

          • 過去幾年,實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過去幾年,實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動(dòng)態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象,并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議,旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化,現(xiàn)在,全新推出的CoolSiC? MO
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

          • 隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,更是不容小覷。富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域,富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考,并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分,本文將先就SiC
          • 關(guān)鍵字: 富昌電子  SiC  MOSFET  

          東芝推出五款新型MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC,助力移動(dòng)電子設(shè)備小型化

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動(dòng)電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過電壓鎖定功能,能根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵極驅(qū)動(dòng)  
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