nch mosfet 文章 進入nch mosfet技術(shù)社區(qū)
高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進展
- 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商，安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展
- 關(guān)鍵字： 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
IR推出微電子繼電器設(shè)計師手冊以簡化選型和電路設(shè)計
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計師手冊，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計技巧等。 IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負(fù)載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
- 關(guān)鍵字： IR 微電子繼電器 MOSFET
Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗
- Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DMC4040SSD
Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗
- Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
- 關(guān)鍵字： Diodes DMC4040SSD MOSFET
說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例
- 現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。 不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會”的組織機構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
- 關(guān)鍵字： IC設(shè)計 MOSFET 音頻解碼器
IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
- 關(guān)鍵字： IR HEXFET MOSFET
2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。 直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)?！?/li>
- 關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器
nch mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nch mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nch mosfet的理解，并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nch mosfet的理解，并與今后在此搜索nch mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
nch mosfet相關(guān)帖子
nch mosfet資料下載
nch mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473